外延结构、外延结构的制备方法和半导体器件

被引：0

申请号：

CN202110296675.5

申请日：

2021-03-19

公开(公告)号：

CN115117165A

公开(公告)日：

2022-09-27

发明(设计)人：

张晖李仕强

申请人：

申请人地址：

215300 江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2920 H01L21335 H01L2120

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463

代理人：

梁晓婷

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-27	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的外延结构、器件及外延结构的制备方法 [P].

张晖 ;

谈科伟 ;

孔苏苏 ;

李仕强 ;

周文龙 ;

杜小青 .

中国专利 :CN114678411A ,2022-06-28

[2]

半导体器件的外延结构、器件及外延结构的制备方法 [P].

张晖 ;

谈科伟 ;

孔苏苏 ;

李仕强 ;

周文龙 ;

杜小青 .

中国专利 :CN114678411B ,2025-12-05

[3]

外延结构、半导体器件及制备方法 [P].

张偲 ;

项少华 ;

刘国安 .

中国专利 :CN115763232B ,2025-07-25

[4]

半导体外延结构和半导体器件 [P].

张晖 ;

杜小青 ;

孔苏苏 ;

李仕强 ;

周文龙 ;

谈科伟 .

中国专利 :CN114678420A ,2022-06-28

[5]

半导体外延结构及其制备方法和半导体器件 [P].

张晖 ;

李仕强 ;

钱洪途 .

中国专利 :CN114530491A ,2022-05-24

[6]

半导体外延结构及其制备方法和半导体器件 [P].

张晖 ;

李仕强 ;

钱洪途 .

中国专利 :CN114530490A ,2022-05-24

[7]

半导体外延结构、HEMT器件和半导体外延结构的制备方法 [P].

周以伦 ;

陈帅 ;

叶念慈 ;

周丽莎 .

中国专利 :CN118943162A ,2024-11-12

[8]

半导体外延结构和半导体器件 [P].

张晖 ;

孔苏苏 ;

李仕强 ;

周文龙 ;

谈科伟 ;

杜小青 .

中国专利 :CN215955285U ,2022-03-04

[9]

LED外延结构及其制备方法和半导体器件 [P].

项博媛 ;

谢春林 .

中国专利 :CN108987538B ,2018-12-11

[10]

半导体外延结构及其制备方法、半导体器件 [P].

张晖 ;

李仕强 ;

钱洪途 .

中国专利 :CN114530364A ,2022-05-24

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