半导体外延结构及其制备方法和半导体器件

被引:0
申请号
CN202011321652.7
申请日
2020-11-23
公开(公告)号
CN114530491A
公开(公告)日
2022-05-24
发明(设计)人
张晖 李仕强 钱洪途
申请人
申请人地址
215300 江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号
IPC主分类号
H01L2936
IPC分类号
H01L21335 H01L29778
代理机构
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463
代理人
刘曾
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
半导体外延结构及其制备方法和半导体器件 [P]. 
张晖 ;
李仕强 ;
钱洪途 .
中国专利 :CN114530490A ,2022-05-24
[2]
半导体外延结构和半导体器件 [P]. 
张晖 ;
杜小青 ;
孔苏苏 ;
李仕强 ;
周文龙 ;
谈科伟 .
中国专利 :CN114678420A ,2022-06-28
[3]
半导体外延结构、半导体器件及其制备方法 [P]. 
房育涛 ;
夏德洋 ;
叶念慈 ;
张洁 .
中国专利 :CN114883405A ,2022-08-09
[4]
半导体外延结构及其制备方法、半导体器件 [P]. 
张晖 ;
李仕强 ;
钱洪途 .
中国专利 :CN114530364A ,2022-05-24
[5]
半导体外延结构、半导体器件及其制备方法 [P]. 
房育涛 ;
夏德洋 ;
叶念慈 ;
张洁 .
中国专利 :CN114883405B ,2025-09-19
[6]
半导体外延结构及其制备方法、半导体器件 [P]. 
梁玉玉 ;
蔡文必 ;
刘成 ;
何俊蕾 ;
徐宁 ;
汪晓媛 ;
叶念慈 .
中国专利 :CN112786687A ,2021-05-11
[7]
半导体外延结构和半导体器件 [P]. 
张晖 ;
孔苏苏 ;
李仕强 ;
周文龙 ;
谈科伟 ;
杜小青 .
中国专利 :CN215955285U ,2022-03-04
[8]
半导体外延结构及制备方法和半导体器件 [P]. 
倪贤锋 ;
范谦 .
中国专利 :CN116153970B ,2024-05-03
[9]
半导体外延结构、半导体器件及其制造方法 [P]. 
裴轶 ;
刘飞航 ;
张乃千 .
中国专利 :CN104409499A ,2015-03-11
[10]
半导体外延结构、制备方法结构及半导体器件 [P]. 
何佳琦 ;
汪青 ;
于洪宇 .
中国专利 :CN110739348A ,2020-01-31