半导体外延结构、半导体器件及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210604325.5

申请日：

2022-05-30

公开(公告)号：

CN114883405A

公开(公告)日：

2022-08-09

发明(设计)人：

房育涛夏德洋叶念慈张洁

申请人：

申请人地址：

410000 湖南省长沙市高新开发区长兴路399号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L29267 H01L21335 H01L2102 H01L3312 H01L3300 C30B2518 C30B2940 C23C1410 C23C1416 C23C1424 C23C1458

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463

代理人：

梁晓婷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

半导体外延结构、半导体器件及其制备方法 [P].

房育涛 ;

夏德洋 ;

叶念慈 ;

张洁 .

中国专利 :CN114883405B ,2025-09-19

[2]

半导体外延结构及其制备方法、半导体器件 [P].

张晖 ;

李仕强 ;

钱洪途 .

中国专利 :CN114530364A ,2022-05-24

[3]

半导体外延结构及其制备方法、半导体器件 [P].

梁玉玉 ;

蔡文必 ;

刘成 ;

何俊蕾 ;

徐宁 ;

汪晓媛 ;

叶念慈 .

中国专利 :CN112786687A ,2021-05-11

[4]

半导体外延结构及其制备方法和半导体器件 [P].

张晖 ;

李仕强 ;

钱洪途 .

中国专利 :CN114530490A ,2022-05-24

[5]

半导体外延结构及其制备方法和半导体器件 [P].

张晖 ;

李仕强 ;

钱洪途 .

中国专利 :CN114530491A ,2022-05-24

[6]

半导体外延结构、半导体器件及其制造方法 [P].

裴轶 ;

刘飞航 ;

张乃千 .

中国专利 :CN104409499A ,2015-03-11

[7]

半导体外延结构、制备方法结构及半导体器件 [P].

何佳琦 ;

汪青 ;

于洪宇 .

中国专利 :CN110739348A ,2020-01-31

[8]

半导体外延结构和半导体器件 [P].

张晖 ;

杜小青 ;

孔苏苏 ;

李仕强 ;

周文龙 ;

谈科伟 .

中国专利 :CN114678420A ,2022-06-28

[9]

半导体外延结构和半导体器件 [P].

张晖 ;

孔苏苏 ;

李仕强 ;

周文龙 ;

谈科伟 ;

杜小青 .

中国专利 :CN215955285U ,2022-03-04

[10]

半导体外延结构及制备方法和半导体器件 [P].

倪贤锋 ;

范谦 .

中国专利 :CN116153970B ,2024-05-03

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20220530
2022-08-09	公开	公开