半导体外延结构及其制备方法、半导体器件

被引：0

申请号：

CN202011321010.7

申请日：

2020-11-23

公开(公告)号：

CN114530364A

公开(公告)日：

2022-05-24

发明(设计)人：

张晖李仕强钱洪途

申请人：

申请人地址：

215300 江苏省苏州市昆山市玉山镇晨丰路18号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2920 H01L29778

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

杨明莉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20201123
2022-05-24	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体外延结构、半导体器件及其制备方法 [P].

房育涛 ;

夏德洋 ;

叶念慈 ;

张洁 .

中国专利 :CN114883405A ,2022-08-09

[2]

半导体外延结构、半导体器件及其制备方法 [P].

房育涛 ;

夏德洋 ;

叶念慈 ;

张洁 .

中国专利 :CN114883405B ,2025-09-19

[3]

半导体外延结构及其制备方法、半导体器件 [P].

梁玉玉 ;

蔡文必 ;

刘成 ;

何俊蕾 ;

徐宁 ;

汪晓媛 ;

叶念慈 .

中国专利 :CN112786687A ,2021-05-11

[4]

半导体外延结构、半导体器件及其制造方法 [P].

裴轶 ;

刘飞航 ;

张乃千 .

中国专利 :CN104409499A ,2015-03-11

[5]

半导体外延结构及其制备方法和半导体器件 [P].

张晖 ;

李仕强 ;

钱洪途 .

中国专利 :CN114530490A ,2022-05-24

[6]

半导体外延结构及其制备方法和半导体器件 [P].

张晖 ;

李仕强 ;

钱洪途 .

中国专利 :CN114530491A ,2022-05-24

[7]

半导体外延结构、制备方法结构及半导体器件 [P].

何佳琦 ;

汪青 ;

于洪宇 .

中国专利 :CN110739348A ,2020-01-31

[8]

半导体外延结构及其制备方法、半导体结构 [P].

张晖 ;

周文龙 ;

孔苏苏 ;

李仕强 ;

谈科伟 ;

杜小青 .

中国专利 :CN114678256A ,2022-06-28

[9]

半导体外延结构和半导体器件 [P].

张晖 ;

杜小青 ;

孔苏苏 ;

李仕强 ;

周文龙 ;

谈科伟 .

中国专利 :CN114678420A ,2022-06-28

[10]

半导体外延结构和半导体器件 [P].

张晖 ;

孔苏苏 ;

李仕强 ;

周文龙 ;

谈科伟 ;

杜小青 .

中国专利 :CN215955285U ,2022-03-04

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