LED外延结构及其制备方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710406980.9

申请日：

2017-06-02

公开(公告)号：

CN108987538B

公开(公告)日：

2018-12-11

发明(设计)人：

项博媛谢春林

申请人：

申请人地址：

518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3304 H01L3332

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

赵天月

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-23	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 登记生效日:20210207 变更事项:专利权人变更前权利人:比亚迪股份有限公司变更后权利人:比亚迪半导体股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号变更后权利人:518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号
2019-01-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20170602
2018-12-11	公开	公开
2020-08-25	授权	授权

共 50 条

[1]

外延结构、外延结构的制备方法和半导体器件 [P].

张晖 ;

李仕强 .

中国专利 :CN115117165A ,2022-09-27

[2]

外延结构及其制备方法和半导体器件 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN115084328B ,2025-08-05

[3]

外延结构及其制备方法和半导体器件 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN115084328A ,2022-09-20

[4]

外延结构及其制备方法、半导体器件及其制备方法 [P].

钱洪途 ;

裴轶 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN115548111A ,2022-12-30

[5]

半导体外延结构及其制备方法和半导体器件 [P].

张晖 ;

李仕强 ;

钱洪途 .

中国专利 :CN114530490A ,2022-05-24

[6]

半导体外延结构及其制备方法和半导体器件 [P].

张晖 ;

李仕强 ;

钱洪途 .

中国专利 :CN114530491A ,2022-05-24

[7]

半导体外延结构和半导体器件 [P].

张晖 ;

杜小青 ;

孔苏苏 ;

李仕强 ;

周文龙 ;

谈科伟 .

中国专利 :CN114678420A ,2022-06-28

[8]

半导体外延结构和半导体器件 [P].

张晖 ;

孔苏苏 ;

李仕强 ;

周文龙 ;

谈科伟 ;

杜小青 .

中国专利 :CN215955285U ,2022-03-04

[9]

半导体外延结构及其制备方法、半导体器件 [P].

张晖 ;

李仕强 ;

钱洪途 .

中国专利 :CN114530364A ,2022-05-24

[10]

半导体外延结构、半导体器件及其制备方法 [P].

房育涛 ;

夏德洋 ;

叶念慈 ;

张洁 .

中国专利 :CN114883405A ,2022-08-09

← 1 2 3 4 5 →