外延结构及其制备方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210865633.3

申请日：

2022-07-21

公开(公告)号：

CN115084328B

公开(公告)日：

2025-08-05

发明(设计)人：

闫其昂王国斌

申请人：

江苏第三代半导体研究院有限公司

申请人地址：

215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室

IPC主分类号：

H10H20/815

IPC分类号：

H10H20/816 H10H20/82 H10H20/812 H10H20/01

代理机构：

苏州领跃知识产权代理有限公司 32370

代理人：

王宁

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省苏州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-05	授权	授权

共 50 条

[1]

外延结构及其制备方法和半导体器件 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN115084328A ,2022-09-20

[2]

一种LED器件的外延结构及其制备方法和半导体器件 [P].

王阳 ;

林志宇 .

中国专利 :CN116190506B ,2024-10-25

[3]

LED外延结构及其制备方法和半导体器件 [P].

项博媛 ;

谢春林 .

中国专利 :CN108987538B ,2018-12-11

[4]

半导体外延结构及其制备方法和半导体器件 [P].

张晖 ;

李仕强 ;

钱洪途 .

中国专利 :CN114530490A ,2022-05-24

[5]

半导体外延结构及其制备方法和半导体器件 [P].

张晖 ;

李仕强 ;

钱洪途 .

中国专利 :CN114530491A ,2022-05-24

[6]

外延结构及其制备方法、半导体器件 [P].

李方政 ;

管昌雨 ;

朱虹 .

中国专利 :CN120980910A ,2025-11-18

[7]

外延结构、外延结构的制备方法和半导体器件 [P].

张晖 ;

李仕强 .

中国专利 :CN115117165A ,2022-09-27

[8]

半导体外延结构及其制备方法、半导体器件 [P].

张晖 ;

李仕强 ;

钱洪途 .

中国专利 :CN114530364A ,2022-05-24

[9]

半导体外延结构、半导体器件及其制备方法 [P].

房育涛 ;

夏德洋 ;

叶念慈 ;

张洁 .

中国专利 :CN114883405A ,2022-08-09

[10]

半导体外延结构、半导体器件及其制备方法 [P].

房育涛 ;

夏德洋 ;

叶念慈 ;

张洁 .

中国专利 :CN114883405B ,2025-09-19

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