半导体器件的外延结构、器件及外延结构的制备方法

被引：0

申请号：

CN202011573138.2

申请日：

2020-12-24

公开(公告)号：

CN114678411A

公开(公告)日：

2022-06-28

发明(设计)人：

张晖谈科伟孔苏苏李仕强周文龙杜小青

申请人：

申请人地址：

215300 江苏省苏州市昆山市玉山镇晨丰路18号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2920 H01L21335 H01L29778

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

杨明莉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20201224
2022-06-28	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的外延结构、器件及外延结构的制备方法 [P].

张晖 ;

谈科伟 ;

孔苏苏 ;

李仕强 ;

周文龙 ;

杜小青 .

中国专利 :CN114678411B ,2025-12-05

[2]

外延结构、外延结构的制备方法和半导体器件 [P].

张晖 ;

李仕强 .

中国专利 :CN115117165A ,2022-09-27

[3]

外延结构、半导体器件及制备方法 [P].

张偲 ;

项少华 ;

刘国安 .

中国专利 :CN115763232B ,2025-07-25

[4]

半导体器件的外延结构及制备方法 [P].

江灵荣 ;

王玮竹 ;

任芳 .

中国专利 :CN120129268A ,2025-06-10

[5]

半导体器件的外延结构 [P].

程万希 ;

梁辉南 ;

王荣华 ;

姜仁波 ;

李强 .

中国专利 :CN117976708A ,2024-05-03

[6]

功率器件外延结构的制备方法及半导体外延结构 [P].

何俊蕾 ;

刘成 ;

赵杰 ;

林育赐 ;

郭德霄 ;

徐宁 ;

叶念慈 .

中国专利 :CN111326577A ,2020-06-23

[7]

半导体外延结构、制备方法结构及半导体器件 [P].

何佳琦 ;

汪青 ;

于洪宇 .

中国专利 :CN110739348A ,2020-01-31

[8]

半导体外延结构、HEMT器件和半导体外延结构的制备方法 [P].

周以伦 ;

陈帅 ;

叶念慈 ;

周丽莎 .

中国专利 :CN118943162A ,2024-11-12

[9]

一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件 [P].

钱洪途 ;

裴轶 ;

张晖 .

中国专利 :CN114695506B ,2025-09-16

[10]

一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件 [P].

钱洪途 ;

裴轶 ;

张晖 .

中国专利 :CN114695507A ,2022-07-01

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