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功率器件外延结构的制备方法及半导体外延结构

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010149236.7
申请日：
2020-03-05
公开(公告)号：
CN111326577A
公开(公告)日：
2020-06-23
发明(设计)人：
何俊蕾 刘成 赵杰 林育赐 郭德霄 徐宁 叶念慈
申请人：
申请人地址：
361100 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
IPC主分类号：
H01L29778
IPC分类号：
H01L21335 H01L2906
代理机构：
北京超成律师事务所 11646
代理人：
郭俊霞
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-07-17 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20200305
2020-06-23 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体外延结构、HEMT器件和半导体外延结构的制备方法 [P]. 
周以伦 ;
陈帅 ;
叶念慈 ;
周丽莎 .
中国专利 :CN118943162A ,2024-11-12
[2]
半导体外延结构、制备方法结构及半导体器件 [P]. 
何佳琦 ;
汪青 ;
于洪宇 .
中国专利 :CN110739348A ,2020-01-31
[3]
半导体外延结构和半导体外延结构的制备方法 [P]. 
房育涛 ;
陈帅 ;
叶念慈 ;
张洁 .
中国专利 :CN115000161B ,2025-09-19
[4]
半导体外延结构和半导体外延结构的制备方法 [P]. 
房育涛 ;
陈帅 ;
叶念慈 ;
张洁 .
中国专利 :CN115000161A ,2022-09-02
[5]
半导体外延结构及制备方法和半导体器件 [P]. 
倪贤锋 ;
范谦 .
中国专利 :CN116153970B ,2024-05-03
[6]
半导体外延结构及其制备方法、半导体器件 [P]. 
张晖 ;
李仕强 ;
钱洪途 .
中国专利 :CN114530364A ,2022-05-24
[7]
半导体外延结构、半导体器件及其制备方法 [P]. 
房育涛 ;
夏德洋 ;
叶念慈 ;
张洁 .
中国专利 :CN114883405A ,2022-08-09
[8]
半导体外延结构、半导体器件及其制备方法 [P]. 
房育涛 ;
夏德洋 ;
叶念慈 ;
张洁 .
中国专利 :CN114883405B ,2025-09-19
[9]
半导体外延结构及其制备方法、半导体器件 [P]. 
梁玉玉 ;
蔡文必 ;
刘成 ;
何俊蕾 ;
徐宁 ;
汪晓媛 ;
叶念慈 .
中国专利 :CN112786687A ,2021-05-11
[10]
半导体外延结构 [P]. 
林子尧 ;
刘嘉哲 ;
施英汝 .
中国专利 :CN116072523B ,2025-08-12
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