选择性外延生长预处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510187339.1

申请日：

2015-04-20

公开(公告)号：

CN104779142A

公开(公告)日：

2015-07-15

发明(设计)人：

刘藩东陆智勇曾明高晶霍宗亮

申请人：

申请人地址：

430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-08-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101620063563 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2015101873391 申请日:20150420
2015-07-15	公开	公开
2018-03-30	授权	授权

共 50 条

[1]

锗硅选择性外延生长预处理方法 [P].

张文广 ;

郑春生 ;

徐强 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102496574A ,2012-06-13

[2]

选择性外延生长锗硅的晶片预处理方法 [P].

林静 .

中国专利 :CN103928294A ,2014-07-16

[3]

提高选择性外延生长的生长速率的方法 [P].

阿布舍克·杜贝 ;

李学斌 ;

黄奕樵 ;

仲华 ;

舒伯特·S·楚 .

中国专利 :CN107430994B ,2017-12-01

[4]

提高选择性外延生长的生长速率的方法 [P].

阿布舍克·杜贝 ;

李学斌 ;

黄奕樵 ;

仲华 ;

舒伯特·S·楚 .

中国专利 :CN114551229A ,2022-05-27

[5]

选择性外延生长装置及集群设备 [P].

朴用城 ;

李成光 ;

金东烈 ;

金基勋 .

中国专利 :CN104246977B ,2014-12-24

[6]

两步L形选择性外延生长 [P].

耿万波 ;

薛磊 ;

薛家倩 ;

刘小欣 ;

高庭庭 ;

黄波 .

中国专利 :CN117596885A ,2024-02-23

[7]

两步L形选择性外延生长 [P].

耿万波 ;

薛磊 ;

薛家倩 ;

刘小欣 ;

高庭庭 ;

黄波 .

中国专利 :CN112041987A ,2020-12-04

[8]

无缺陷选择性外延的生长方法 [P].

高杏 .

中国专利 :CN103165419A ,2013-06-19

[9]

4H-SiC选择性同质外延生长方法 [P].

贾仁需 ;

张玉明 ;

张义门 ;

郭辉 ;

王悦湖 .

中国专利 :CN101608339A ,2009-12-23

[10]

外延生长预处理方法以及外延生长预处理工艺腔 [P].

严利人 ;

刘志弘 ;

周卫 ;

张伟 .

中国专利 :CN102938369A ,2013-02-20

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