外延生长预处理方法以及外延生长预处理工艺腔

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210484714.5

申请日：

2012-11-23

公开(公告)号：

CN102938369A

公开(公告)日：

2013-02-20

发明(设计)人：

严利人刘志弘周卫张伟

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区清华园1号

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

C23C1646

代理机构：

北京中伟智信专利商标代理事务所 11325

代理人：

张岱

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-02-20	公开	公开
2016-04-13	授权	授权
2013-03-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101422523609 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2012104847145 申请日:20121123

共 50 条

[1]

选择性外延生长预处理方法 [P].

刘藩东 ;

陆智勇 ;

曾明 ;

高晶 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN104779142A ,2015-07-15

[2]

硅外延生长室预处理的方法 [P].

徐伟中 ;

张洪伟 ;

谢煊 .

中国专利 :CN101399162A ,2009-04-01

[3]

锗硅选择性外延生长预处理方法 [P].

张文广 ;

郑春生 ;

徐强 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102496574A ,2012-06-13

[4]

外延生长设备的工艺腔室及外延生长设备 [P].

夏俊涵 ;

邓晓军 .

中国专利 :CN115404543A ,2022-11-29

[5]

外延生长设备的工艺腔室及外延生长设备 [P].

夏俊涵 ;

邓晓军 .

中国专利 :CN115404543B ,2024-03-26

[6]

选择性外延生长锗硅的晶片预处理方法 [P].

林静 .

中国专利 :CN103928294A ,2014-07-16

[7]

一种SiC外延表面的预处理及外延生长方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN109518271A ,2019-03-26

[8]

待外延生长的衬底处理方法、外延生长方法及外延结构 [P].

刘青 ;

康凯 ;

王农华 .

中国专利 :CN119913612A ,2025-05-02

[9]

外延生长装置的调温方法以及外延生长装置 [P].

汪延成 ;

程佳峰 ;

沈文杰 ;

梅德庆 ;

郑丽霞 ;

周建灿 ;

白天 ;

张秋成 ;

李阳健 .

中国专利 :CN113846376B ,2021-12-28

[10]

外延生长设备、外延生长方法以及外延晶圆 [P].

孙毅 ;

杨海龙 .

中国专利 :CN119764210A ,2025-04-04

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