硅外延生长室预处理的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710094102.4

申请日：

2007-09-28

公开(公告)号：

CN101399162A

公开(公告)日：

2009-04-01

发明(设计)人：

徐伟中张洪伟谢煊

申请人：

申请人地址：

201206上海市浦东新区金桥出口加工区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L2120

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

丁纪铁

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-01	公开	公开
2009-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-04-03	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101558596326 IPC(主分类):H01L 21/00 专利申请号:2007100941024 申请公布日:20090401

共 50 条

[1]

外延生长预处理方法以及外延生长预处理工艺腔 [P].

严利人 ;

刘志弘 ;

周卫 ;

张伟 .

中国专利 :CN102938369A ,2013-02-20

[2]

锗硅选择性外延生长预处理方法 [P].

张文广 ;

郑春生 ;

徐强 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102496574A ,2012-06-13

[3]

选择性外延生长锗硅的晶片预处理方法 [P].

林静 .

中国专利 :CN103928294A ,2014-07-16

[4]

选择性外延生长预处理方法 [P].

刘藩东 ;

陆智勇 ;

曾明 ;

高晶 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN104779142A ,2015-07-15

[5]

硅外延生长的工艺方法 [P].

刘继全 ;

高杏 .

中国专利 :CN103031598A ,2013-04-10

[6]

外延生长设备的工艺腔室及外延生长设备 [P].

夏俊涵 ;

邓晓军 .

中国专利 :CN115404543A ,2022-11-29

[7]

外延生长设备的工艺腔室及外延生长设备 [P].

夏俊涵 ;

邓晓军 .

中国专利 :CN115404543B ,2024-03-26

[8]

基座、外延生长装置、外延硅晶片的制造方法及外延硅晶片 [P].

楢原和宏 .

中国专利 :CN111295737A ,2020-06-16

[9]

待外延生长的衬底处理方法、外延生长方法及外延结构 [P].

刘青 ;

康凯 ;

王农华 .

中国专利 :CN119913612A ,2025-05-02

[10]

分子束外延设备的外延生长室结构 [P].

梁枫 ;

张冬 ;

马志博 .

中国专利 :CN119433697A ,2025-02-14

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