选择性外延生长锗硅的晶片预处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310014766.0

申请日：

2013-01-15

公开(公告)号：

CN103928294A

公开(公告)日：

2014-07-16

发明(设计)人：

林静

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

李仪萍

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584395204 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2013100147660 申请日:20130115
2016-12-28	授权	授权
2014-07-16	公开	公开

共 50 条

[1]

锗硅选择性外延生长预处理方法 [P].

张文广 ;

郑春生 ;

徐强 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102496574A ,2012-06-13

[2]

选择性外延生长预处理方法 [P].

刘藩东 ;

陆智勇 ;

曾明 ;

高晶 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN104779142A ,2015-07-15

[3]

一种深硅槽中选择性外延锗方法 [P].

杨荣 .

中国专利 :CN113658905A ,2021-11-16

[4]

一种非选择性生长锗硅外延的方法 [P].

黄锦才 .

中国专利 :CN101724896A ,2010-06-09

[5]

提高选择性外延生长的生长速率的方法 [P].

阿布舍克·杜贝 ;

李学斌 ;

黄奕樵 ;

仲华 ;

舒伯特·S·楚 .

中国专利 :CN107430994B ,2017-12-01

[6]

提高选择性外延生长的生长速率的方法 [P].

阿布舍克·杜贝 ;

李学斌 ;

黄奕樵 ;

仲华 ;

舒伯特·S·楚 .

中国专利 :CN114551229A ,2022-05-27

[7]

用于器件集成的硅的低温选择性外延生长 [P].

B·海克麦特朔-塔巴里 ;

A·卡基菲鲁兹 ;

A·雷茨尼采克 ;

D·K·萨达那 ;

G·G·沙希迪 ;

D·沙赫莉亚迪 .

中国专利 :CN103380480A ,2013-10-30

[8]

一种选择性外延锗硅薄膜的制备方法 [P].

叶志镇 ;

吴贵斌 ;

刘国军 ;

赵星 .

中国专利 :CN1713350A ,2005-12-28

[9]

锗硅外延生长方法 [P].

曹威 ;

江润峰 .

中国专利 :CN103928319A ,2014-07-16

[10]

选择性外延生长装置及集群设备 [P].

朴用城 ;

李成光 ;

金东烈 ;

金基勋 .

中国专利 :CN104246977B ,2014-12-24

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