一种深硅槽中选择性外延锗方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110956076.1

申请日：

2021-08-19

公开(公告)号：

CN113658905A

公开(公告)日：

2021-11-16

发明(设计)人：

杨荣

申请人：

申请人地址：

100096 北京市海淀区安宁庄路11号院东门501号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L27142

代理机构：

成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214

代理人：

罗强

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20210819
2021-11-16	公开	公开

共 50 条

[1]

锗硅选择性外延生长预处理方法 [P].

张文广 ;

郑春生 ;

徐强 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102496574A ,2012-06-13

[2]

选择性外延生长锗硅的晶片预处理方法 [P].

林静 .

中国专利 :CN103928294A ,2014-07-16

[3]

波导锗探测器制作工艺中选择性锗外延的前处理方法 [P].

郭安然 ;

郭培 ;

雷仁方 ;

彭松 ;

王培界 ;

黄建 .

中国专利 :CN111816733A ,2020-10-23

[4]

一种选择性外延锗硅薄膜的制备方法 [P].

叶志镇 ;

吴贵斌 ;

刘国军 ;

赵星 .

中国专利 :CN1713350A ,2005-12-28

[5]

一种非选择性生长锗硅外延的方法 [P].

黄锦才 .

中国专利 :CN101724896A ,2010-06-09

[6]

选择性外延硅基脊型光波导 [P].

杨荣 ;

王百钱 ;

余明斌 .

中国专利 :CN222259620U ,2024-12-27

[7]

一种锗硅外延层生长方法 [P].

涂火金 .

中国专利 :CN102956445A ,2013-03-06

[8]

利用氮注入改善锗硅选择性外延的侧墙淀积问题的方法 [P].

邱裕明 .

中国专利 :CN103996619A ,2014-08-20

[9]

在低温下的选择性硅锗外延的方法 [P].

黄奕樵 ;

仲华 .

美国专利 :CN110783171B ,2025-01-07

[10]

在低温下的选择性硅锗外延的方法 [P].

黄奕樵 ;

仲华 .

中国专利 :CN110783171A ,2020-02-11

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