在低温下的选择性硅锗外延的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910694021.0

申请日：

2019-07-30

公开(公告)号：

CN110783171B

公开(公告)日：

2025-01-07

发明(设计)人：

黄奕樵仲华

申请人：

应用材料公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

C23C16/04 C23C16/42 C23C16/455

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;赵静

法律状态：

专利权期限的补偿

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-25	专利权期限的补偿	专利权期限补偿IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20190730授权公告日:20250107原专利权期满终止日:20390730现专利权期满终止日:20400226
2025-01-07	授权	授权

共 50 条

[1]

在低温下的选择性硅锗外延的方法 [P].

黄奕樵 ;

仲华 .

中国专利 :CN110783171A ,2020-02-11

[2]

在低温下的选择性硅锗外延的方法 [P].

黄奕樵 ;

仲华 .

美国专利 :CN119943655A ,2025-05-06

[3]

选择性沉积重掺杂外延硅锗的方法 [P].

Y·金 ;

A·V·萨莫伊洛夫 .

中国专利 :CN101483136A ,2009-07-15

[4]

选择性沉积重掺杂外延硅锗的方法 [P].

Y·金 ;

A·V·萨莫伊洛夫 .

中国专利 :CN1875461A ,2006-12-06

[5]

硅碳外延层的选择性形成 [P].

叶祉渊 ;

乔普拉·索拉布 ;

林启华 ;

金以宽 .

中国专利 :CN101404250B ,2009-04-08

[6]

用于器件集成的硅的低温选择性外延生长 [P].

B·海克麦特朔-塔巴里 ;

A·卡基菲鲁兹 ;

A·雷茨尼采克 ;

D·K·萨达那 ;

G·G·沙希迪 ;

D·沙赫莉亚迪 .

中国专利 :CN103380480A ,2013-10-30

[7]

相对于锗选择性蚀刻硅锗的调配物 [P].

S·比洛迪奥 ;

E·I·库珀 .

中国专利 :CN107851660B ,2018-03-27

[8]

采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的制造方法 [P].

周正良 .

中国专利 :CN108257867A ,2018-07-06

[9]

一种深硅槽中选择性外延锗方法 [P].

杨荣 .

中国专利 :CN113658905A ,2021-11-16

[10]

用于选择性地蚀刻硅-锗材料的组合物、其用于选择性地蚀刻硅-锗材料的用途和用于选择性地蚀刻硅-锗材料的方法 [P].

F·J·洛佩兹维拉纽瓦 ;

罗智晖 ;

A·克里普 ;

沈美卿 ;

S·希尔德布兰特 .

中国专利 :CN118743002A ,2024-10-01

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