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用于选择性地蚀刻硅-锗材料的组合物、其用于选择性地蚀刻硅-锗材料的用途和用于选择性地蚀刻硅-锗材料的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202380023180.2
申请日：
2023-02-13
公开(公告)号：
CN118743002A
公开(公告)日：
2024-10-01
发明(设计)人：
F·J·洛佩兹维拉纽瓦 罗智晖 A·克里普 沈美卿 S·希尔德布兰特
申请人：
巴斯夫欧洲公司
申请人地址：
德国
IPC主分类号：
H01L21/306
IPC分类号：
代理机构：
北京市中咨律师事务所 11247
代理人：
张双双;刘金辉
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-03-07 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/306申请日:20230213
2024-10-01 公开 公开
共 50 条
[1]
用于选择性地蚀刻硅-锗材料的组合物、其用于选择性地蚀刻硅-锗材料的用途和用于选择性地蚀刻硅-锗材料的方法 [P]. 
F·J·洛佩兹维拉纽瓦 ;
S·希尔德布兰特 ;
A·克里普 ;
罗智晖 ;
沈美卿 .
中国专利 :CN118743001A ,2024-10-01
[2]
组合物及其用途和选择性蚀刻硅-锗材料的方法 [P]. 
F·J·洛佩兹比利亚努埃瓦 ;
Y·伯克 ;
D·勒夫勒 ;
J·O·穆勒 ;
M·布里尔 ;
P·维尔克 ;
J-P·B·林德纳 ;
V·博伊科 .
中国专利 :CN114072482A ,2022-02-18
[3]
组合物用于选择性蚀刻硅的用途以及用于选择性蚀刻硅的方法 [P]. 
F·J·洛佩兹比利亚努埃瓦 ;
S·希尔德布兰特 ;
A·克里普 ;
R·古普塔 .
德国专利 :CN119998425A ,2025-05-13
[4]
用于在半导体器件制造期间从硅-锗/硅堆叠选择性地去除硅-锗合金的蚀刻溶液 [P]. 
刘文达 ;
李翊嘉 ;
吴爱萍 .
美国专利 :CN117616102A ,2024-02-27
[5]
组合物用于选择性蚀刻硅的用途以及用于选择性蚀刻硅的方法 [P]. 
F·J·洛佩兹比利亚努埃瓦 ;
S·希尔德布兰特 ;
A·克里普 .
德国专利 :CN117616544A ,2024-02-27
[6]
相对于锗选择性蚀刻硅锗的调配物 [P]. 
S·比洛迪奥 ;
E·I·库珀 .
中国专利 :CN107851660B ,2018-03-27
[7]
相对于硅选择性蚀刻硅-锗的调配物 [P]. 
S·M·比洛迪奥 .
中国专利 :CN110494961A ,2019-11-22
[8]
在制造半导体器件过程中从硅-锗/硅叠层中选择性地去除硅-锗合金的蚀刻溶液 [P]. 
刘文达 ;
李翊嘉 ;
A·J·亚当齐克 .
中国专利 :CN109423291B ,2019-03-05
[9]
用于硅锗层的气相选择性蚀刻的新型方法 [P]. 
阿什维尼·K·辛哈 ;
C·马 ;
A·雷伊尼克尔 ;
A·M·阿塞力利耶 .
中国专利 :CN115605982A ,2023-01-13
[10]
具有提升的表面纯度的含硅及锗材料的选择性蚀刻 [P]. 
J·黄 ;
李子汇 ;
Y·金 ;
王安川 ;
N·K·英格尔 .
美国专利 :CN120981895A ,2025-11-18
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