用于硅锗层的气相选择性蚀刻的新型方法

被引：0

申请号：

CN202180022511.1

申请日：

2021-04-07

公开(公告)号：

CN115605982A

公开(公告)日：

2023-01-13

发明(设计)人：

阿什维尼·K·辛哈 C·马 A·雷伊尼克尔 A·M·阿塞力利耶

申请人：

申请人地址：

美国康涅狄格州

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

H01L213213

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

张慧;林毅斌

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3065 申请日:20210407
2023-01-13	公开	公开

共 50 条

[1]

用于选择性地蚀刻硅-锗材料的组合物、其用于选择性地蚀刻硅-锗材料的用途和用于选择性地蚀刻硅-锗材料的方法 [P].

F·J·洛佩兹维拉纽瓦 ;

S·希尔德布兰特 ;

A·克里普 ;

罗智晖 ;

沈美卿 .

中国专利 :CN118743001A ,2024-10-01

[2]

用于选择性地蚀刻硅-锗材料的组合物、其用于选择性地蚀刻硅-锗材料的用途和用于选择性地蚀刻硅-锗材料的方法 [P].

F·J·洛佩兹维拉纽瓦 ;

罗智晖 ;

A·克里普 ;

沈美卿 ;

S·希尔德布兰特 .

中国专利 :CN118743002A ,2024-10-01

[3]

硅锗/硅叠层中硅的高性能选择性蚀刻液 [P].

李少平 ;

臧洋 ;

尹印 ;

贺兆波 ;

张庭 ;

余迪 ;

叶瑞 ;

万杨阳 ;

马瑞 ;

杨陈宗 ;

杨俊伟 ;

余建平 ;

路明 .

中国专利 :CN118995223A ,2024-11-22

[4]

具有可控金属蚀刻选择性的气相蚀刻 [P].

苏巴迪普·卡尔 ;

伊藤大辅 ;

马修·弗洛 ;

村木雄介 ;

艾兰·莫斯登 .

中国专利 :CN113950735A ,2022-01-18

[5]

组合物及其用途和选择性蚀刻硅-锗材料的方法 [P].

F·J·洛佩兹比利亚努埃瓦 ;

Y·伯克 ;

D·勒夫勒 ;

J·O·穆勒 ;

M·布里尔 ;

P·维尔克 ;

J-P·B·林德纳 ;

V·博伊科 .

中国专利 :CN114072482A ,2022-02-18

[6]

钯选择性蚀刻液以及控制蚀刻的选择性的方法 [P].

高桥秀树 .

中国专利 :CN100595894C ,2008-10-29

[7]

用于环绕栅极架构的选择性蚀刻 [P].

S·H·宋 ;

R·B·小蒂尔科特 ;

A·默西 ;

S·金 ;

K·库恩 .

中国专利 :CN105993064A ,2016-10-05

[8]

选择性沉积重掺杂外延硅锗的方法 [P].

Y·金 ;

A·V·萨莫伊洛夫 .

中国专利 :CN101483136A ,2009-07-15

[9]

选择性沉积重掺杂外延硅锗的方法 [P].

Y·金 ;

A·V·萨莫伊洛夫 .

中国专利 :CN1875461A ,2006-12-06

[10]

具有提升的表面纯度的含硅及锗材料的选择性蚀刻 [P].

J·黄 ;

李子汇 ;

Y·金 ;

王安川 ;

N·K·英格尔 .

美国专利 :CN120981895A ,2025-11-18

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