选择性沉积重掺杂外延硅锗的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910003806.5

申请日：

2004-09-21

公开(公告)号：

CN101483136A

公开(公告)日：

2009-07-15

发明(设计)人：

Y·金 A·V·萨莫伊洛夫

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

H01L2122 C23C1642

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

白益华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-07-15	公开	公开
2012-01-04	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101258518063 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2009100038065 变更事项:申请人变更前:应用材料股份有限公司变更后:应用材料公司变更事项:地址变更前:美国加利福尼亚州变更后:美国加利福尼亚州
2009-09-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-02-29	授权	授权

共 50 条

[1]

选择性沉积重掺杂外延硅锗的方法 [P].

Y·金 ;

A·V·萨莫伊洛夫 .

中国专利 :CN1875461A ,2006-12-06

[2]

在低温下的选择性硅锗外延的方法 [P].

黄奕樵 ;

仲华 .

美国专利 :CN110783171B ,2025-01-07

[3]

在低温下的选择性硅锗外延的方法 [P].

黄奕樵 ;

仲华 .

中国专利 :CN110783171A ,2020-02-11

[4]

在低温下的选择性硅锗外延的方法 [P].

黄奕樵 ;

仲华 .

美国专利 :CN119943655A ,2025-05-06

[5]

锗硅选择性外延生长预处理方法 [P].

张文广 ;

郑春生 ;

徐强 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102496574A ,2012-06-13

[6]

硅碳外延层的选择性形成 [P].

叶祉渊 ;

乔普拉·索拉布 ;

林启华 ;

金以宽 .

中国专利 :CN101404250B ,2009-04-08

[7]

一种选择性外延锗硅薄膜的制备方法 [P].

叶志镇 ;

吴贵斌 ;

刘国军 ;

赵星 .

中国专利 :CN1713350A ,2005-12-28

[8]

选择性沉积 [P].

K·K·卡谢尔 .

:CN119736603A ,2025-04-01

[9]

具有选择性气体供应的选择性外延工艺 [P].

金亿涣 ;

阿卡迪·V·萨蒙罗弗 .

中国专利 :CN101069264B ,2007-11-07

[10]

材料的选择性掺杂 [P].

M·拉亚拉 ;

M·普特科宁 ;

J·皮缅诺夫 ;

L·尼尼斯特 ;

J·佩伊韦萨里 ;

J·库尔基 .

中国专利 :CN1972879A ,2007-05-30

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