一种选择性外延锗硅薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510050891.2

申请日：

2005-07-28

公开(公告)号：

CN1713350A

公开(公告)日：

2005-12-28

发明(设计)人：

叶志镇吴贵斌刘国军赵星

申请人：

申请人地址：

310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司

代理人：

韩介梅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-12-28	公开	公开
2008-02-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2006-02-22	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

锗硅选择性外延生长预处理方法 [P].

张文广 ;

郑春生 ;

徐强 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102496574A ,2012-06-13

[2]

一种多晶锗硅薄膜的制备方法 [P].

叶志镇 ;

吴贵斌 ;

赵星 ;

刘国军 .

中国专利 :CN1731561A ,2006-02-08

[3]

一种多晶锗硅薄膜的制备方法 [P].

叶志镇 ;

吴贵斌 ;

赵星 ;

刘国军 ;

赵炳辉 .

中国专利 :CN1822319A ,2006-08-23

[4]

一种深硅槽中选择性外延锗方法 [P].

杨荣 .

中国专利 :CN113658905A ,2021-11-16

[5]

选择性外延生长锗硅的晶片预处理方法 [P].

林静 .

中国专利 :CN103928294A ,2014-07-16

[6]

选择性沉积重掺杂外延硅锗的方法 [P].

Y·金 ;

A·V·萨莫伊洛夫 .

中国专利 :CN101483136A ,2009-07-15

[7]

选择性沉积重掺杂外延硅锗的方法 [P].

Y·金 ;

A·V·萨莫伊洛夫 .

中国专利 :CN1875461A ,2006-12-06

[8]

一种高锗含量锗硅薄膜的低温外延制备方法 [P].

芦红 ;

叶佳佳 .

中国专利 :CN107316802A ,2017-11-03

[9]

采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的制造方法 [P].

周正良 .

中国专利 :CN108257867A ,2018-07-06

[10]

选择性外延硅基脊型光波导 [P].

杨荣 ;

王百钱 ;

余明斌 .

中国专利 :CN222259620U ,2024-12-27

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