在制造半导体器件过程中从硅-锗/硅叠层中选择性地去除硅-锗合金的蚀刻溶液

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810982894.7

申请日：

2018-08-27

公开(公告)号：

CN109423291B

公开(公告)日：

2019-03-05

发明(设计)人：

刘文达李翊嘉 A·J·亚当齐克

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那州

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

C09K1308

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

吴亦华;徐志明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 13/08 申请日:20180827
2019-03-05	公开	公开
2022-09-30	授权	授权

共 29 条

[1]

用于在半导体器件制造期间从硅-锗/硅堆叠选择性地去除硅-锗合金的蚀刻溶液 [P].

刘文达 ;

李翊嘉 ;

吴爱萍 .

美国专利 :CN117616102A ,2024-02-27

[2]

制造半导体器件过程中从硅-锗/硅叠层中相对于硅-锗合金选择性去除硅的蚀刻溶液 [P].

刘文达 ;

李翊嘉 ;

A·J·亚当齐克 .

中国专利 :CN109423288B ,2019-03-05

[3]

用于在半导体器件制造期间从硅-锗/锗叠层选择性除去硅-锗合金的蚀刻溶液 [P].

刘文达 ;

李翊嘉 .

中国专利 :CN110240907A ,2019-09-17

[4]

用于在半导体器件制造过程中从硅-锗/硅堆叠同时去除硅和硅-锗合金的蚀刻溶液 [P].

葛智逵 ;

李翊嘉 ;

刘文达 ;

郭致贤 ;

A·J·亚当齐克 .

中国专利 :CN111164183B ,2020-05-15

[5]

用于选择性地蚀刻硅-锗材料的组合物、其用于选择性地蚀刻硅-锗材料的用途和用于选择性地蚀刻硅-锗材料的方法 [P].

F·J·洛佩兹维拉纽瓦 ;

罗智晖 ;

A·克里普 ;

沈美卿 ;

S·希尔德布兰特 .

中国专利 :CN118743002A ,2024-10-01

[6]

用于选择性地蚀刻硅-锗材料的组合物、其用于选择性地蚀刻硅-锗材料的用途和用于选择性地蚀刻硅-锗材料的方法 [P].

F·J·洛佩兹维拉纽瓦 ;

S·希尔德布兰特 ;

A·克里普 ;

罗智晖 ;

沈美卿 .

中国专利 :CN118743001A ,2024-10-01

[7]

用于在制造半导体器件过程中相对于氮化钛选择性地去除氮化钽的蚀刻溶液 [P].

刘文达 ;

李翊嘉 .

中国专利 :CN109423290A ,2019-03-05

[8]

一种适用于微电子器件从硅锗/硅叠层中相对于硅选择性去除硅锗的组合物 [P].

臧洋 ;

贺兆波 ;

尹印 ;

叶瑞 ;

余迪 ;

万杨阳 ;

马瑞 ;

杨陈宗 ;

杨俊伟 ;

余建平 ;

路明 .

中国专利 :CN119979170A ,2025-05-13

[9]

在半导体器件制造期间相对于p-掺杂硅和硅-锗选择性去除多晶硅的液体组合物 [P].

刘文达 ;

李翊嘉 ;

张仲逸 ;

吴爱萍 ;

孙来生 .

美国专利 :CN113950520B ,2024-03-01

[10]

在半导体器件制造期间相对于p-掺杂硅和硅-锗选择性去除多晶硅的液体组合物 [P].

刘文达 ;

李翊嘉 ;

张仲逸 ;

吴爱萍 ;

孙来生 .

中国专利 :CN113950520A ,2022-01-18