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用于在半导体器件制造期间从硅-锗/硅堆叠选择性地去除硅-锗合金的蚀刻溶液

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202280046876.2
申请日：
2022-04-26
公开(公告)号：
CN117616102A
公开(公告)日：
2024-02-27
发明(设计)人：
刘文达 李翊嘉 吴爱萍
申请人：
弗萨姆材料美国有限责任公司
申请人地址：
美国亚利桑那州
IPC主分类号：
C09K13/08
IPC分类号：
H01L21/311
代理机构：
北京市金杜律师事务所 11256
代理人：
吴亦华;徐志明
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-02-27 公开 公开
2024-04-19 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C09K 13/08申请日:20220426
共 50 条
[1]
用于在半导体器件制造期间从硅-锗/锗叠层选择性除去硅-锗合金的蚀刻溶液 [P]. 
刘文达 ;
李翊嘉 .
中国专利 :CN110240907A ,2019-09-17
[2]
在制造半导体器件过程中从硅-锗/硅叠层中选择性地去除硅-锗合金的蚀刻溶液 [P]. 
刘文达 ;
李翊嘉 ;
A·J·亚当齐克 .
中国专利 :CN109423291B ,2019-03-05
[3]
用于在半导体器件制造过程中从硅-锗/硅堆叠同时去除硅和硅-锗合金的蚀刻溶液 [P]. 
葛智逵 ;
李翊嘉 ;
刘文达 ;
郭致贤 ;
A·J·亚当齐克 .
中国专利 :CN111164183B ,2020-05-15
[4]
制造半导体器件过程中从硅-锗/硅叠层中相对于硅-锗合金选择性去除硅的蚀刻溶液 [P]. 
刘文达 ;
李翊嘉 ;
A·J·亚当齐克 .
中国专利 :CN109423288B ,2019-03-05
[5]
用于选择性地蚀刻硅-锗材料的组合物、其用于选择性地蚀刻硅-锗材料的用途和用于选择性地蚀刻硅-锗材料的方法 [P]. 
F·J·洛佩兹维拉纽瓦 ;
罗智晖 ;
A·克里普 ;
沈美卿 ;
S·希尔德布兰特 .
中国专利 :CN118743002A ,2024-10-01
[6]
用于选择性地蚀刻硅-锗材料的组合物、其用于选择性地蚀刻硅-锗材料的用途和用于选择性地蚀刻硅-锗材料的方法 [P]. 
F·J·洛佩兹维拉纽瓦 ;
S·希尔德布兰特 ;
A·克里普 ;
罗智晖 ;
沈美卿 .
中国专利 :CN118743001A ,2024-10-01
[7]
在半导体器件制造期间相对于p-掺杂硅和硅-锗选择性去除多晶硅的液体组合物 [P]. 
刘文达 ;
李翊嘉 ;
张仲逸 ;
吴爱萍 ;
孙来生 .
美国专利 :CN113950520B ,2024-03-01
[8]
在半导体器件制造期间相对于p-掺杂硅和硅-锗选择性去除多晶硅的液体组合物 [P]. 
刘文达 ;
李翊嘉 ;
张仲逸 ;
吴爱萍 ;
孙来生 .
中国专利 :CN113950520A ,2022-01-18
[9]
一种相对于硅锗的硅选择性蚀刻液 [P]. 
贺兆波 ;
臧洋 ;
余迪 ;
尹印 ;
王亮 ;
万杨阳 ;
彭浩 ;
路明 ;
孟牧麟 ;
张庭 .
中国专利 :CN117417747A ,2024-01-19
[10]
一种适用于微电子器件从硅锗/硅叠层中相对于硅选择性去除硅锗的组合物 [P]. 
臧洋 ;
贺兆波 ;
尹印 ;
叶瑞 ;
余迪 ;
万杨阳 ;
马瑞 ;
杨陈宗 ;
杨俊伟 ;
余建平 ;
路明 .
中国专利 :CN119979170A ,2025-05-13
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