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一种相对于硅锗的硅选择性蚀刻液

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311180647.2
申请日：
2023-09-13
公开(公告)号：
CN117417747A
公开(公告)日：
2024-01-19
发明(设计)人：
贺兆波 臧洋 余迪 尹印 王亮 万杨阳 彭浩 路明 孟牧麟 张庭
申请人：
湖北兴福电子材料股份有限公司
申请人地址：
443007 湖北省宜昌市猇亭区猇亭大道66-3号
IPC主分类号：
C09K13/00
IPC分类号：
H01L21/306
代理机构：
宜昌市三峡专利事务所 42103
代理人：
成钢
法律状态：
发明专利申请公布后的驳回
国省代码：
湖北省 宜昌市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-03-18 发明专利申请公布后的驳回 发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):C09K 13/00申请公布日:20240119
2024-02-06 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C09K 13/00申请日:20230913
2024-01-19 公开 公开
共 50 条
[1]
相对于硅选择性蚀刻硅-锗的调配物 [P]. 
S·M·比洛迪奥 .
中国专利 :CN110494961A ,2019-11-22
[2]
相对于锗选择性蚀刻硅锗的调配物 [P]. 
S·比洛迪奥 ;
E·I·库珀 .
中国专利 :CN107851660B ,2018-03-27
[3]
一种相对于硅选择性去除氮化钽的蚀刻液 [P]. 
马瑞 ;
贺兆波 ;
余迪 ;
尹印 ;
叶瑞 ;
臧洋 ;
路明 ;
万杨阳 ;
杨俊伟 ;
杨陈宗 ;
余建平 ;
曾婷 .
中国专利 :CN119842404A ,2025-04-18
[4]
制造半导体器件过程中从硅-锗/硅叠层中相对于硅-锗合金选择性去除硅的蚀刻溶液 [P]. 
刘文达 ;
李翊嘉 ;
A·J·亚当齐克 .
中国专利 :CN109423288B ,2019-03-05
[5]
一种相对于二氧化硅的选择性硅锗蚀刻液 [P]. 
臧洋 ;
叶瑞 ;
余迪 ;
尹印 ;
贺兆波 ;
万杨阳 ;
张庭 ;
马瑞 .
中国专利 :CN117866634A ,2024-04-12
[6]
在半导体器件制造期间相对于p-掺杂硅和硅-锗选择性去除多晶硅的液体组合物 [P]. 
刘文达 ;
李翊嘉 ;
张仲逸 ;
吴爱萍 ;
孙来生 .
美国专利 :CN113950520B ,2024-03-01
[7]
在半导体器件制造期间相对于p-掺杂硅和硅-锗选择性去除多晶硅的液体组合物 [P]. 
刘文达 ;
李翊嘉 ;
张仲逸 ;
吴爱萍 ;
孙来生 .
中国专利 :CN113950520A ,2022-01-18
[8]
硅锗/硅叠层中硅的高性能选择性蚀刻液 [P]. 
李少平 ;
臧洋 ;
尹印 ;
贺兆波 ;
张庭 ;
余迪 ;
叶瑞 ;
万杨阳 ;
马瑞 ;
杨陈宗 ;
杨俊伟 ;
余建平 ;
路明 .
中国专利 :CN118995223A ,2024-11-22
[9]
一种相对于SiO和Si的SiGe选择性蚀刻液 [P]. 
余迪 ;
尹印 ;
贺兆波 ;
叶瑞 ;
臧洋 ;
马瑞 ;
万杨阳 ;
杨陈宗 ;
杨俊伟 ;
余建平 ;
路明 .
中国专利 :CN119799339A ,2025-04-11
[10]
一种相对于SiO和Si的SiGe选择性蚀刻液 [P]. 
余迪 ;
尹印 ;
贺兆波 ;
叶瑞 ;
臧洋 ;
马瑞 ;
万杨阳 ;
杨陈宗 ;
杨俊伟 ;
余建平 ;
路明 .
中国专利 :CN119799339B ,2025-12-05
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