一种相对于硅选择性去除氮化钽的蚀刻液

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411831450.5

申请日：

2024-12-12

公开(公告)号：

CN119842404A

公开(公告)日：

2025-04-18

发明(设计)人：

马瑞贺兆波余迪尹印叶瑞臧洋路明万杨阳杨俊伟杨陈宗余建平曾婷

申请人：

湖北兴福电子材料股份有限公司

申请人地址：

443007 湖北省宜昌市猇亭区猇亭大道66-3号

IPC主分类号：

C09K13/08

IPC分类号：

C09K13/10 C09K13/12 H01L21/3213

代理机构：

宜昌市三峡专利事务所 42103

代理人：

王玉芳

法律状态：

公开

国省代码：

湖北省宜昌市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-18	公开	公开
2025-05-06	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C09K 13/08申请日:20241212

共 50 条

[1]

一种相对于硅锗的硅选择性蚀刻液 [P].

贺兆波 ;

臧洋 ;

余迪 ;

尹印 ;

王亮 ;

万杨阳 ;

彭浩 ;

路明 ;

孟牧麟 ;

张庭 .

中国专利 :CN117417747A ,2024-01-19

[2]

相对于硅选择性蚀刻硅-锗的调配物 [P].

S·M·比洛迪奥 .

中国专利 :CN110494961A ,2019-11-22

[3]

相对于锗选择性蚀刻硅锗的调配物 [P].

S·比洛迪奥 ;

E·I·库珀 .

中国专利 :CN107851660B ,2018-03-27

[4]

一种相对于二氧化硅的选择性硅锗蚀刻液 [P].

臧洋 ;

叶瑞 ;

余迪 ;

尹印 ;

贺兆波 ;

万杨阳 ;

张庭 ;

马瑞 .

中国专利 :CN117866634A ,2024-04-12

[5]

一种相对于SiO和Si的SiGe选择性蚀刻液 [P].

余迪 ;

尹印 ;

贺兆波 ;

叶瑞 ;

臧洋 ;

马瑞 ;

万杨阳 ;

杨陈宗 ;

杨俊伟 ;

余建平 ;

路明 .

中国专利 :CN119799339A ,2025-04-11

[6]

一种相对于SiO和Si的SiGe选择性蚀刻液 [P].

余迪 ;

尹印 ;

贺兆波 ;

叶瑞 ;

臧洋 ;

马瑞 ;

万杨阳 ;

杨陈宗 ;

杨俊伟 ;

余建平 ;

路明 .

中国专利 :CN119799339B ,2025-12-05

[7]

用于在制造半导体器件过程中相对于氮化钛选择性地去除氮化钽的蚀刻溶液 [P].

刘文达 ;

李翊嘉 .

中国专利 :CN109423290A ,2019-03-05

[8]

相对于金属掺杂硼膜的含硅材料的选择性蚀刻 [P].

王瀚 ;

杨羽 ;

张晶 ;

阿尤特·阿尤丁 ;

李国青 ;

钟广颜 ;

程睿 ;

吉恩·H·李 ;

斯里尼瓦斯·古吉拉 ;

西纳·海欧 ;

E·文卡塔苏布拉曼尼亚 ;

阿布海杰特·巴苏·马利克 ;

卡希克·贾纳基拉曼 .

美国专利 :CN120660172A ,2025-09-16

[9]

一种选择性蚀刻氮化钛及钨的蚀刻液 [P].

刘悦 ;

贺兆波 ;

钟昌东 ;

张庭 ;

冯凯 ;

尹印 ;

万杨阳 ;

王书萍 ;

李鑫 ;

李金航 .

中国专利 :CN114369462A ,2022-04-19

[10]

一种相对于叠层金属选择性蚀刻AlCu层的蚀刻液及其制备方法 [P].

彭浩 ;

尹印 ;

万杨阳 ;

贺兆波 ;

张庭 ;

余迪 ;

王亮 ;

叶瑞 .

中国专利 :CN116240548B ,2025-01-14

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