提高选择性外延生长的生长速率的方法

被引：0

申请号：

CN202210091935.X

申请日：

2016-03-16

公开(公告)号：

CN114551229A

公开(公告)日：

2022-05-27

发明(设计)人：

阿布舍克·杜贝李学斌黄奕樵仲华舒伯特·S·楚

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;赵静

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20160316
2022-05-27	公开	公开

共 50 条

[1]

提高选择性外延生长的生长速率的方法 [P].

阿布舍克·杜贝 ;

李学斌 ;

黄奕樵 ;

仲华 ;

舒伯特·S·楚 .

中国专利 :CN107430994B ,2017-12-01

[2]

选择性外延生长预处理方法 [P].

刘藩东 ;

陆智勇 ;

曾明 ;

高晶 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN104779142A ,2015-07-15

[3]

使用选择性外延生长制造的半导体器件 [P].

约瑟夫·尼尔·梅雷特 ;

伊戈尔·桑金 .

中国专利 :CN102856387A ,2013-01-02

[4]

无缺陷选择性外延的生长方法 [P].

高杏 .

中国专利 :CN103165419A ,2013-06-19

[5]

锗硅选择性外延生长预处理方法 [P].

张文广 ;

郑春生 ;

徐强 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102496574A ,2012-06-13

[6]

选择性外延生长锗硅的晶片预处理方法 [P].

林静 .

中国专利 :CN103928294A ,2014-07-16

[7]

选择性外延生长装置及集群设备 [P].

朴用城 ;

李成光 ;

金东烈 ;

金基勋 .

中国专利 :CN104246977B ,2014-12-24

[8]

用于器件集成的硅的低温选择性外延生长 [P].

B·海克麦特朔-塔巴里 ;

A·卡基菲鲁兹 ;

A·雷茨尼采克 ;

D·K·萨达那 ;

G·G·沙希迪 ;

D·沙赫莉亚迪 .

中国专利 :CN103380480A ,2013-10-30

[9]

选择性外延生长方法及该方法生成的半导体结构 [P].

周亦康 ;

张庆超 .

中国专利 :CN120089591A ,2025-06-03

[10]

III族氮化物层选择性外延生长的方法 [P].

梁琥 ;

Y·萨里帕里 .

中国专利 :CN108231539A ,2018-06-29

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