共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
选择性外延生长方法及该方法生成的半导体结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311637517.7
申请日：
2023-12-01
公开(公告)号：
CN120089591A
公开(公告)日：
2025-06-03
发明(设计)人：
周亦康
张庆超
申请人：
北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请人地址：
100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号9幢一层
IPC主分类号：
H01L21/02
IPC分类号：
代理机构：
北京市盈科律师事务所 11344
代理人：
岳蕊
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
安徽省
宣城市
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-06-20 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20231201 |
| 2025-06-03 | 公开 | 公开 |