硅外延生长的工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210291209.9

申请日：

2012-08-16

公开(公告)号：

CN103031598A

公开(公告)日：

2013-04-10

发明(设计)人：

刘继全高杏

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

C30B2504

IPC分类号：

C30B2516 C30B2906

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

高月红

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-10	公开	公开
2013-05-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101452520280 IPC(主分类):C30B 25/04 专利申请号:2012102912099 申请日:20120816
2014-02-19	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101692489592 IPC(主分类):C30B 25/04 专利申请号:2012102912099 变更事项:申请人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140120
2015-10-14	授权	授权

共 50 条

[1]

外延生长工艺方法 [P].

李伟峰 .

中国专利 :CN104766789A ,2015-07-08

[2]

基座、外延生长装置、外延硅晶片的制造方法及外延硅晶片 [P].

楢原和宏 .

中国专利 :CN111295737A ,2020-06-16

[3]

外延生长用硅晶片及外延晶片及其制造方法 [P].

星亮二 ;

园川 .

中国专利 :CN1668786A ,2005-09-14

[4]

硅外延生长室预处理的方法 [P].

徐伟中 ;

张洪伟 ;

谢煊 .

中国专利 :CN101399162A ,2009-04-01

[5]

外延生长工艺 [P].

李睿 ;

曹志伟 ;

张召 ;

余文达 ;

尹佳玲 ;

刘悦 ;

范永胜 ;

蔡靖凯 ;

吴成志 .

中国专利 :CN121148987A ,2025-12-16

[6]

多晶硅外延生长方法 [P].

陈猛 ;

叶斐 ;

张晨膑 ;

姚舒林 .

中国专利 :CN119824534A ,2025-04-15

[7]

外延生长设备的工艺腔室及外延生长设备 [P].

夏俊涵 ;

邓晓军 .

中国专利 :CN115404543A ,2022-11-29

[8]

外延生长设备的工艺腔室及外延生长设备 [P].

夏俊涵 ;

邓晓军 .

中国专利 :CN115404543B ,2024-03-26

[9]

一种FDSOI硅外延生长工艺优化方法 [P].

苏炳熏 ;

叶甜春 ;

朱纪军 ;

李彬鸿 ;

罗军 ;

赵杰 .

中国专利 :CN114121612B ,2022-03-01

[10]

用于硅外延生长的水冷装置 [P].

陈特超 ;

胡凡 ;

陈庆广 ;

张彬庭 .

中国专利 :CN205099785U ,2016-03-23

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