多晶硅外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411890720.X

申请日：

2024-12-20

公开(公告)号：

CN119824534A

公开(公告)日：

2025-04-15

发明(设计)人：

陈猛叶斐张晨膑姚舒林

申请人：

上海超硅半导体股份有限公司重庆超硅半导体有限公司

申请人地址：

201616 上海市松江区鼎松路150弄1-15号

IPC主分类号：

C30B28/14

IPC分类号：

C30B29/06 C30B29/64

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294

代理人：

赵娟娟

法律状态：

公开

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-15	公开	公开
2025-05-02	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 28/14申请日:20241220

共 50 条

[1]

定义多晶硅生长方向的方法 [P].

余威 ;

李冠政 .

中国专利 :CN103730336B ,2014-04-16

[2]

定义多晶硅生长方向的方法 [P].

余威 .

中国专利 :CN103745916B ,2014-04-23

[3]

定义多晶硅生长方向的方法 [P].

余威 ;

王烨文 ;

李冠政 .

中国专利 :CN104037066A ,2014-09-10

[4]

多晶硅的定向生长方法 [P].

廖燕平 ;

邵喜斌 ;

邝俊峰 ;

荆海 ;

付国柱 ;

骆文生 ;

郜峰利 ;

缪国庆 .

中国专利 :CN1546744A ,2004-11-17

[5]

可控制多晶硅生长方向的多晶硅制作方法 [P].

张翔 .

中国专利 :CN103594355A ,2014-02-19

[6]

锗硅外延生长方法 [P].

曹威 ;

江润峰 .

中国专利 :CN103928319A ,2014-07-16

[7]

多晶硅生长装置 [P].

李昶徕 ;

金升铉 ;

姜承吾 ;

朴奎东 ;

朴健 .

中国专利 :CN103570022A ,2014-02-12

[8]

多晶硅生长炉 [P].

唐群煜 ;

陆道文 ;

汤唐正正 .

中国专利 :CN215103686U ,2021-12-10

[9]

外延生长方法 [P].

缪燕 .

中国专利 :CN102456551A ,2012-05-16

[10]

多晶硅铸锭生长方法、所用坩埚及其制造方法 [P].

史珺 .

中国专利 :CN102251288A ,2011-11-23

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