可控制多晶硅生长方向的多晶硅制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310572056.X

申请日：

2013-11-13

公开(公告)号：

CN103594355A

公开(公告)日：

2014-02-19

发明(设计)人：

张翔

申请人：

申请人地址：

518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号

IPC主分类号：

H01L213205

IPC分类号：

代理机构：

深圳市德力知识产权代理事务所 44265

代理人：

林才桂

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-16	授权	授权
2014-02-19	公开	公开
2014-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101580333568 IPC(主分类):H01L 21/3205 专利申请号:201310572056X 申请日:20131113

共 50 条

[1]

定义多晶硅生长方向的方法 [P].

余威 ;

王烨文 ;

李冠政 .

中国专利 :CN104037066A ,2014-09-10

[2]

定义多晶硅生长方向的方法 [P].

余威 ;

李冠政 .

中国专利 :CN103730336B ,2014-04-16

[3]

定义多晶硅生长方向的方法 [P].

余威 .

中国专利 :CN103745916B ,2014-04-23

[4]

一种多晶硅的制作方法及多晶硅薄膜 [P].

田雪雁 .

中国专利 :CN106229254B ,2016-12-14

[5]

提升多晶硅层均一性的多晶硅制作方法 [P].

张翔 .

中国专利 :CN103560076A ,2014-02-05

[6]

多晶硅外延生长方法 [P].

陈猛 ;

叶斐 ;

张晨膑 ;

姚舒林 .

中国专利 :CN119824534A ,2025-04-15

[7]

多晶硅层的制作方法 [P].

彭佳添 .

中国专利 :CN1492475A ,2004-04-28

[8]

低温多晶硅薄膜的制作方法、低温多晶硅薄膜及低温多晶硅TFT基板 [P].

张瑞军 ;

卢马才 ;

王松 .

中国专利 :CN108831894A ,2018-11-16

[9]

多晶硅的制作方法和使用多晶硅的开关器件 [P].

金荣柱 .

中国专利 :CN1327484C ,2005-02-02

[10]

低温多晶硅TFT的制作方法及低温多晶硅TFT [P].

胡道兵 .

中国专利 :CN113611752A ,2021-11-05

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