多晶硅生长装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210267188.7

申请日：

2012-07-31

公开(公告)号：

CN103570022A

公开(公告)日：

2014-02-12

发明(设计)人：

李昶徕金升铉姜承吾朴奎东朴健

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道诚南市盆唐区三坪洞633番地板桥七创业谷2区1洞6层

IPC主分类号：

C01B33035

IPC分类号：

C30B2814 C30B2906

代理机构：

上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218

代理人：

翟羽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101578333911 IPC(主分类):C01B 33/035 专利申请号:2012102671887 申请日:20120731
2014-02-12	公开	公开
2016-02-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101727333350 IPC(主分类):C01B 33/035 专利申请号:2012102671887 申请公布日:20140212

共 50 条

[1]

多晶硅生长检测装置 [P].

黄贤强 ;

沈达军 ;

赵芷绮 ;

张苏州 ;

栗学华 ;

郭见英 ;

何建军 .

中国专利 :CN206858696U ,2018-01-09

[2]

多晶硅生长炉 [P].

唐群煜 ;

陆道文 ;

汤唐正正 .

中国专利 :CN215103686U ,2021-12-10

[3]

多晶硅生长视频监测装置 [P].

闵泽生 ;

肖扬华 ;

雷凯 ;

熊向杰 ;

李进兵 .

中国专利 :CN101597060B ,2009-12-09

[4]

多晶硅的制造方法、多晶硅的制造装置、和多晶硅 [P].

漆原诚 ;

水岛一树 .

中国专利 :CN101956232B ,2011-01-26

[5]

船崎和则 ;

佐藤一臣 ;

宫尾秀一 .

中国专利 :CN106966395B ,2017-07-21

[6]

多晶硅制造装置以及多晶硅 [P].

冈田哲郎 ;

星野成大 ;

石田昌彦 .

中国专利 :CN111560650A ,2020-08-21

[7]

多晶硅还原炉及使用多晶硅还原炉生长多晶硅的方法 [P].

秦文军 ;

银波 ;

范协诚 ;

王文 ;

王瑞聪 ;

罗飞飞 ;

胡颖 ;

杜新 ;

夏高强 .

中国专利 :CN108285146B ,2018-07-17

[8]

多晶硅制造装置 [P].

朴成殷 ;

金知雄 ;

李熙东 .

中国专利 :CN108025918A ,2018-05-11

[9]

多晶硅制造装置 [P].

朴成殷 ;

李熙东 ;

金知雄 .

中国专利 :CN107921403A ,2018-04-17

[10]

多晶硅制造装置 [P].

远藤俊秀 ;

手计昌之 ;

石井敏由记 ;

坂口昌晃 .

中国专利 :CN101544372A ,2009-09-30

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