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多晶硅制造装置
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN200910127763.1
申请日
:
2009-03-25
公开(公告)号
:
CN101544372A
公开(公告)日
:
2009-09-30
发明(设计)人
:
远藤俊秀
手计昌之
石井敏由记
坂口昌晃
申请人
:
申请人地址
:
日本东京都
IPC主分类号
:
C01B33035
IPC分类号
:
C30B2814
C30B2906
代理机构
:
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
:
温大鹏
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2011-03-02
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101038687773 IPC(主分类):C01B 33/035 专利申请号:2009101277631 申请日:20090325
2013-01-09
授权
授权
2009-09-30
公开
公开
共 50 条
[1]
多晶硅制造装置
[P].
远藤俊秀
论文数:
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远藤俊秀
;
手计昌之
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手计昌之
;
石井敏由记
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石井敏由记
;
坂口昌晃
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坂口昌晃
.
中国专利
:CN101613106A
,2009-12-30
[2]
多晶硅制造系统、多晶硅制造装置及多晶硅的制造方法
[P].
祢津茂义
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祢津茂义
;
小黑晓二
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小黑晓二
;
清水孝明
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清水孝明
;
黑泽靖志
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黑泽靖志
;
久米史高
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久米史高
.
中国专利
:CN102498063A
,2012-06-13
[3]
多晶硅的制造方法、多晶硅的制造装置、和多晶硅
[P].
漆原诚
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漆原诚
;
水岛一树
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水岛一树
.
中国专利
:CN101956232B
,2011-01-26
[4]
多晶硅制造装置及多晶硅的制造方法
[P].
黑泽靖志
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黑泽靖志
;
祢津茂义
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祢津茂义
.
中国专利
:CN103328380A
,2013-09-25
[5]
多晶硅制造装置及多晶硅的制造方法
[P].
黑泽靖志
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黑泽靖志
;
祢津茂义
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祢津茂义
;
星野成大
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星野成大
.
中国专利
:CN103702938B
,2014-04-02
[6]
多晶硅制造装置
[P].
朴成殷
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朴成殷
;
金知雄
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金知雄
;
李熙东
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李熙东
.
中国专利
:CN108025918A
,2018-05-11
[7]
多晶硅制造用反应炉、多晶硅制造装置、多晶硅的制造方法、以及多晶硅棒或多晶硅块
[P].
祢津茂义
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祢津茂义
;
星野成大
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星野成大
;
冈田哲郎
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冈田哲郎
;
齐藤弘
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齐藤弘
.
中国专利
:CN111153407A
,2020-05-15
[8]
多晶硅制造装置
[P].
朴成殷
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朴成殷
;
李熙东
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李熙东
;
金知雄
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金知雄
.
中国专利
:CN107921403A
,2018-04-17
[9]
多晶硅制造用反应炉、多晶硅制造装置、多晶硅的制造方法、以及多晶硅棒或多晶硅块
[P].
祢津茂义
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祢津茂义
;
星野成大
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星野成大
;
冈田哲郎
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冈田哲郎
;
齐藤弘
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齐藤弘
.
中国专利
:CN106573784B
,2017-04-19
[10]
多晶硅制造装置
[P].
星野成大
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星野成大
;
冈田哲郎
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冈田哲郎
;
石田昌彦
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石田昌彦
.
中国专利
:CN111591998A
,2020-08-28
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