多晶硅制造装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911370744.1

申请日：

2019-12-27

公开(公告)号：

CN111591998A

公开(公告)日：

2020-08-28

发明(设计)人：

星野成大冈田哲郎石田昌彦

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C01B3303

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

杨青;安翔

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-28	公开	公开
2022-03-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/03 申请日:20191227

共 50 条

[1]

多晶硅制造装置 [P].

星野成大 ;

冈田哲郎 ;

石田昌彦 .

日本专利 :CN111591998B ,2024-06-14

[2]

多晶硅制造系统、多晶硅制造装置及多晶硅的制造方法 [P].

祢津茂义 ;

小黑晓二 ;

清水孝明 ;

黑泽靖志 ;

久米史高 .

中国专利 :CN102498063A ,2012-06-13

[3]

多晶硅的制造方法、多晶硅的制造装置、和多晶硅 [P].

漆原诚 ;

水岛一树 .

中国专利 :CN101956232B ,2011-01-26

[4]

多晶硅制造用反应炉、多晶硅制造装置、多晶硅的制造方法、以及多晶硅棒或多晶硅块 [P].

祢津茂义 ;

星野成大 ;

冈田哲郎 ;

齐藤弘 .

中国专利 :CN111153407A ,2020-05-15

[5]

多晶硅制造装置 [P].

远藤俊秀 ;

手计昌之 ;

石井敏由记 ;

坂口昌晃 .

中国专利 :CN101544372A ,2009-09-30

[6]

多晶硅制造用反应炉、多晶硅制造装置、多晶硅的制造方法、以及多晶硅棒或多晶硅块 [P].

祢津茂义 ;

星野成大 ;

冈田哲郎 ;

齐藤弘 .

中国专利 :CN106573784B ,2017-04-19

[7]

多晶硅制造装置及多晶硅的制造方法 [P].

黑泽靖志 ;

祢津茂义 .

中国专利 :CN103328380A ,2013-09-25

[8]

多晶硅制造装置及多晶硅的制造方法 [P].

黑泽靖志 ;

祢津茂义 ;

星野成大 .

中国专利 :CN103702938B ,2014-04-02

[9]

多晶硅制造装置 [P].

远藤俊秀 ;

手计昌之 ;

石井敏由记 ;

坂口昌晃 .

中国专利 :CN101613106A ,2009-12-30

[10]

多晶硅制造装置以及多晶硅 [P].

冈田哲郎 ;

星野成大 ;

石田昌彦 .

中国专利 :CN111560650A ,2020-08-21

← 1 2 3 4 5 →