多晶硅生长检测装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201720631227.5

申请日：

2017-05-18

公开(公告)号：

CN206858696U

公开(公告)日：

2018-01-09

发明(设计)人：

黄贤强沈达军赵芷绮张苏州栗学华郭见英何建军

申请人：

申请人地址：

314302 浙江省嘉兴市海盐县澉浦镇长青路1号

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

C30B2800

代理机构：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-09	授权	授权

共 50 条

[1]

多晶硅生长炉 [P].

唐群煜 ;

陆道文 ;

汤唐正正 .

中国专利 :CN215103686U ,2021-12-10

[2]

多晶硅生长装置 [P].

李昶徕 ;

金升铉 ;

姜承吾 ;

朴奎东 ;

朴健 .

中国专利 :CN103570022A ,2014-02-12

[3]

多晶硅生长工艺用坩埚装置 [P].

冯焕培 ;

黎志欣 ;

王军 .

中国专利 :CN201713324U ,2011-01-19

[4]

多晶硅生长视频监测装置 [P].

闵泽生 ;

肖扬华 ;

雷凯 ;

熊向杰 ;

李进兵 .

中国专利 :CN101597060B ,2009-12-09

[5]

多晶硅结晶质量检测装置 [P].

刘丰 .

中国专利 :CN201444141U ,2010-04-28

[6]

多晶硅生长工艺用坩埚装置 [P].

冯焕培 ;

黎志欣 ;

王军 .

中国专利 :CN101774583A ,2010-07-14

[7]

一种多晶硅铸锭石英坩埚检测装置 [P].

王后忠 ;

丁馨明 ;

李留文 ;

孙正荣 ;

周忠伟 .

中国专利 :CN203069522U ,2013-07-17

[8]

一种多晶硅块检测装置 [P].

陆国富 .

中国专利 :CN202057609U ,2011-11-30

[9]

多晶硅检测采样设备 [P].

陈湘伟 ;

尹祚鹏 ;

刘晓霞 ;

王桃霞 .

中国专利 :CN206756561U ,2017-12-15

[10]

多晶硅制造装置以及多晶硅 [P].

冈田哲郎 ;

星野成大 ;

石田昌彦 .

中国专利 :CN111560650A ,2020-08-21

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