外延生长工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510148323.X

申请日：

2015-03-31

公开(公告)号：

CN104766789A

公开(公告)日：

2015-07-08

发明(设计)人：

李伟峰

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/20 申请公布日:20150708
2015-07-08	公开	公开
2015-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101619253490 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:201510148323X 申请日:20150331

共 50 条

[1]

外延生长工艺 [P].

李睿 ;

曹志伟 ;

张召 ;

余文达 ;

尹佳玲 ;

刘悦 ;

范永胜 ;

蔡靖凯 ;

吴成志 .

中国专利 :CN121148987A ,2025-12-16

[2]

一种碳化硅外延生长装置及生长工艺方法 [P].

蒲勇 ;

施建新 ;

卢勇 ;

赵鹏 ;

黄名海 ;

陈清龙 .

中国专利 :CN114737254B ,2022-07-12

[3]

碳化硅外延片的生长工艺 [P].

冯禹 ;

丁雄傑 ;

韩景瑞 ;

鲍勇年 ;

李锡光 .

中国专利 :CN118256991A ,2024-06-28

[4]

一种FDSOI硅外延生长工艺优化方法 [P].

苏炳熏 ;

叶甜春 ;

朱纪军 ;

李彬鸿 ;

罗军 ;

赵杰 .

中国专利 :CN114121612B ,2022-03-01

[5]

硅外延生长的工艺方法 [P].

刘继全 ;

高杏 .

中国专利 :CN103031598A ,2013-04-10

[6]

厚铝生长工艺方法 [P].

闵炼锋 .

中国专利 :CN102810504A ,2012-12-05

[7]

一种碳化硅外延生长的喷淋装置及碳化硅生长工艺方法 [P].

鞠涛 ;

张立国 ;

李哲 ;

范亚明 ;

张泽洪 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN106350864A ,2017-01-25

[8]

外延片、外延片生长工艺及发光二极管 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

曾家明 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN115241336B ,2022-12-30

[9]

一种用于液相外延生长工艺的夹具 [P].

陈腾波 ;

张榕贵 ;

李来超 ;

高浩然 ;

雷云 .

中国专利 :CN222499461U ,2025-02-18

[10]

一种碳化硅衬底的外延生长工艺 [P].

张新峰 ;

吴志亮 ;

高欣 .

中国专利 :CN120933151A ,2025-11-11

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