两步L形选择性外延生长

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311327676.7

申请日：

2020-07-24

公开(公告)号：

CN117596885A

公开(公告)日：

2024-02-23

发明(设计)人：

耿万波薛磊薛家倩刘小欣高庭庭黄波

申请人：

长江存储科技有限责任公司

申请人地址：

430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

IPC主分类号：

H10B43/27

IPC分类号：

H10B43/50 H10B41/27 H10B41/35 H10B43/35

代理机构：

北京永新同创知识产权代理有限公司 11376

代理人：

刘景峰;于景辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 43/27申请日:20200724
2024-02-23	公开	公开

共 50 条

[1]

两步L形选择性外延生长 [P].

耿万波 ;

薛磊 ;

薛家倩 ;

刘小欣 ;

高庭庭 ;

黄波 .

中国专利 :CN112041987A ,2020-12-04

[2]

选择性外延生长预处理方法 [P].

刘藩东 ;

陆智勇 ;

曾明 ;

高晶 ;

霍宗亮 .

中国专利 :CN104779142A ,2015-07-15

[3]

选择性外延生长装置及集群设备 [P].

朴用城 ;

李成光 ;

金东烈 ;

金基勋 .

中国专利 :CN104246977B ,2014-12-24

[4]

提高选择性外延生长的生长速率的方法 [P].

阿布舍克·杜贝 ;

李学斌 ;

黄奕樵 ;

仲华 ;

舒伯特·S·楚 .

中国专利 :CN107430994B ,2017-12-01

[5]

提高选择性外延生长的生长速率的方法 [P].

阿布舍克·杜贝 ;

李学斌 ;

黄奕樵 ;

仲华 ;

舒伯特·S·楚 .

中国专利 :CN114551229A ,2022-05-27

[6]

使用选择性外延生长制造的半导体器件 [P].

约瑟夫·尼尔·梅雷特 ;

伊戈尔·桑金 .

中国专利 :CN102856387A ,2013-01-02

[7]

锗硅选择性外延生长预处理方法 [P].

张文广 ;

郑春生 ;

徐强 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102496574A ,2012-06-13

[8]

无缺陷选择性外延的生长方法 [P].

高杏 .

中国专利 :CN103165419A ,2013-06-19

[9]

选择性外延生长锗硅的晶片预处理方法 [P].

林静 .

中国专利 :CN103928294A ,2014-07-16

[10]

用于器件集成的硅的低温选择性外延生长 [P].

B·海克麦特朔-塔巴里 ;

A·卡基菲鲁兹 ;

A·雷茨尼采克 ;

D·K·萨达那 ;

G·G·沙希迪 ;

D·沙赫莉亚迪 .

中国专利 :CN103380480A ,2013-10-30

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