一种插入InGaN层改善非极性GaN材料质量的外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910548899.3

申请日：

2019-06-24

公开(公告)号：

CN110429019B

公开(公告)日：

2019-11-08

发明(设计)人：

韩军崔博垚邢艳辉赵佳豪

申请人：

申请人地址：

100124 北京市朝阳区平乐园100号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

C23C1634 C23C16455 C23C1652

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司 11203

代理人：

刘萍

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-19	授权	授权
2019-12-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20190624
2019-11-08	公开	公开

共 50 条

[1]

一种插入InGaN/GaN超晶格结构改善非极性GaN材料质量的外延生长方法 [P].

韩军 ;

赵佳豪 ;

邢艳辉 ;

崔博垚 .

中国专利 :CN110364420A ,2019-10-22

[2]

三维、两维GaN层多次交替结构改善非极性GaN材料质量的外延生长方法 [P].

丁广玉 ;

邢艳辉 ;

韩军 .

中国专利 :CN118854442A ,2024-10-29

[3]

一种改善铟镓氮外延材料表面质量的生长方法 [P].

李亮 ;

罗伟科 .

中国专利 :CN103710757A ,2014-04-09

[4]

一种非极性GaN薄膜的生长方法 [P].

周健华 ;

郝茂盛 ;

颜建锋 ;

潘尧波 ;

周圣明 .

中国专利 :CN101358337A ,2009-02-04

[5]

GaN基材料外延层生长制备方法 [P].

江灏 ;

贾维卿 .

中国专利 :CN101560647B ,2009-10-21

[6]

一种在蓝宝石上外延GaN层的方法 [P].

刘新科 ;

刘治文 ;

高博 .

中国专利 :CN110938869B ,2020-03-31

[7]

一种非极性GaN薄膜及其生长方法 [P].

周健华 ;

郝茂盛 ;

颜建锋 ;

潘尧波 ;

周圣明 .

中国专利 :CN101364631A ,2009-02-11

[8]

一种非极性a面GaN薄膜生长方法 [P].

叶文远 ;

曾尔曼 ;

吴昊天 ;

郑黎梨 ;

庄佩贞 .

中国专利 :CN103215647A ,2013-07-24

[9]

氮极性面GaN材料及同质外延生长方法 [P].

薛军帅 ;

李蓝星 ;

姚佳佳 ;

杨雪妍 ;

孙志鹏 ;

张赫朋 ;

刘芳 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN112750691A ,2021-05-04

[10]

提高生长质量的LED外延生长方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN109300855A ,2019-02-01

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