垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510103132.1

申请日：

2015-03-10

公开(公告)号：

CN104701359A

公开(公告)日：

2015-06-10

发明(设计)人：

孙世闯张宝顺范亚明付凯蔡勇于国浩张志利宋亮

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4楼110B室

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29778 H01L21335 H01L21265

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王锋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-10	公开	公开
2015-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101616039695 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2015101031321 申请日:20150310
2018-02-02	授权	授权

共 50 条

[1]

垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法 [P].

孙世闯 ;

张宝顺 ;

范亚明 ;

付凯 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张志利 ;

宋亮 .

中国专利 :CN104659082B ,2015-05-27

[2]

基于侧向外延技术的垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法 [P].

张宝顺 ;

孙世闯 ;

付凯 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张志利 ;

宋亮 .

中国专利 :CN104659089A ,2015-05-27

[3]

基于耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

梁日泉 ;

张春福 ;

代波 ;

张进城 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103779409B ,2014-05-07

[4]

GaN基HEMT器件及其制作方法 [P].

谭庶欣 .

中国专利 :CN111223777A ,2020-06-02

[5]

加栅场板耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

代波 ;

张春福 ;

梁日泉 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103904113B ,2014-07-02

[6]

一种AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

陈丽香 ;

孙佳惟 ;

阙妙玲 ;

孙云飞 .

中国专利 :CN117894833A ,2024-04-16

[7]

GaN HEMT器件及其制作方法 [P].

陈一峰 .

中国专利 :CN105226093B ,2016-01-06

[8]

槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及制作方法 [P].

柴常春 ;

杨琦 ;

陈鹏远 ;

杨银堂 ;

刘阳 ;

樊庆扬 ;

于新海 ;

史春蕾 ;

孙斌 .

中国专利 :CN105355659A ,2016-02-24

[9]

槽形沟道AlGaN/GaN增强型HEMT器件及制作方法 [P].

张进成 ;

陈珂 ;

郝跃 ;

马晓华 ;

王冲 ;

付小凡 ;

马俊彩 ;

刘子扬 ;

林志宇 ;

张凯 .

中国专利 :CN102130160A ,2011-07-20

[10]

N面GaN HEMT器件及其制作方法 [P].

张丽 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN112420827A ,2021-02-26

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