N面GaN HEMT器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011319555.4

申请日：

2020-11-23

公开(公告)号：

CN112420827A

公开(公告)日：

2021-02-26

发明(设计)人：

张丽于国浩张宝顺

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4楼110B

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335 H01L2906 H01L2920

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王锋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20201123
2021-02-26	公开	公开

共 50 条

[1]

GaN HEMT器件及其制作方法 [P].

陈一峰 .

中国专利 :CN105226093B ,2016-01-06

[2]

GaN基HEMT器件及其制作方法 [P].

谭庶欣 .

中国专利 :CN111223777A ,2020-06-02

[3]

垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法 [P].

孙世闯 ;

张宝顺 ;

范亚明 ;

付凯 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张志利 ;

宋亮 .

中国专利 :CN104701359A ,2015-06-10

[4]

GaN HEMT器件的制作方法 [P].

肖霞 .

中国专利 :CN120239291A ,2025-07-01

[5]

HEMT器件及其制作方法 [P].

萨梅·哈利勒 ;

卡里姆·S·保特罗斯 ;

凯苏克·稀恩奥哈拉 .

中国专利 :CN104412388A ,2015-03-11

[6]

一种GaN基HEMT器件及其制作方法 [P].

张正海 ;

张宗民 .

中国专利 :CN103489911A ,2014-01-01

[7]

GaN HEMT器件的制作方法 [P].

陈一峰 .

中国专利 :CN105742180A ,2016-07-06

[8]

一种GaN HEMT器件的制作方法 [P].

林书勋 .

中国专利 :CN107240549B ,2017-10-10

[9]

基于耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

梁日泉 ;

张春福 ;

代波 ;

张进城 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103779409B ,2014-05-07

[10]

GaN MISHEMT器件及其制作方法 [P].

于子呈 ;

张丽 ;

周鑫 ;

徐坤 ;

邓旭光 ;

范亚明 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN113594037A ,2021-11-02

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