HEMT器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380025830.3

申请日：

2013-05-09

公开(公告)号：

CN104412388A

公开(公告)日：

2015-03-11

发明(设计)人：

萨梅·哈利勒卡里姆·S·保特罗斯凯苏克·稀恩奥哈拉

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

陈源;崔利梅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101614363414 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2013800258303 申请日:20130509
2015-03-11	公开	公开
2020-03-06	授权	授权

共 50 条

[1]

GaN HEMT器件及其制作方法 [P].

陈一峰 .

中国专利 :CN105226093B ,2016-01-06

[2]

GaN基HEMT器件及其制作方法 [P].

谭庶欣 .

中国专利 :CN111223777A ,2020-06-02

[3]

HEMT器件及其自隔离方法、制作方法 [P].

郭炜 ;

叶继春 ;

戴贻钧 ;

徐厚强 .

中国专利 :CN113394096B ,2021-09-14

[4]

HEMT器件及其制作方法 [P].

张连 ;

张韵 ;

程哲 .

中国专利 :CN111952177B ,2024-09-06

[5]

HEMT器件及其制作方法 [P].

张连 ;

张韵 ;

程哲 .

中国专利 :CN111952177A ,2020-11-17

[6]

N面GaN HEMT器件及其制作方法 [P].

张丽 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN112420827A ,2021-02-26

[7]

HEMT器件及其制作方法 [P].

向鹏 ;

程凯 .

中国专利 :CN118140312A ,2024-06-04

[8]

垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法 [P].

孙世闯 ;

张宝顺 ;

范亚明 ;

付凯 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张志利 ;

宋亮 .

中国专利 :CN104701359A ,2015-06-10

[9]

无帽层GaAs HEMT外延结构、GaAs HEMT器件及其制作方法 [P].

秦华 ;

焦尚 ;

孙建东 .

中国专利 :CN118763104A ,2024-10-11

[10]

一种GaN基HEMT器件及其制作方法 [P].

张正海 ;

张宗民 .

中国专利 :CN103489911A ,2014-01-01

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