一种GaN基HEMT器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310405073.4

申请日：

2013-09-06

公开(公告)号：

CN103489911A

公开(公告)日：

2014-01-01

发明(设计)人：

张正海张宗民

申请人：

申请人地址：

518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335 H01L29423

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

黄厚刚

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101567135275 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2013104050734 申请日:20130906
2014-01-01	公开	公开
2016-08-24	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101738056519 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2013104050734 申请公布日:20140101

共 50 条

[1]

GaN基HEMT器件及其制作方法 [P].

谭庶欣 .

中国专利 :CN111223777A ,2020-06-02

[2]

GaN HEMT器件及其制作方法 [P].

陈一峰 .

中国专利 :CN105226093B ,2016-01-06

[3]

一种GaN基双异质结HEMT器件及其制作方法 [P].

陈效双 ;

姚路驰 ;

王林 ;

胡伟达 ;

陆卫 .

中国专利 :CN105514157A ,2016-04-20

[4]

基于耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

梁日泉 ;

张春福 ;

代波 ;

张进城 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103779409B ,2014-05-07

[5]

一种GaN基HEMT器件及其制作方法 [P].

范亚明 ;

冯家驹 ;

张晓东 ;

于国浩 ;

邓旭光 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN114582726A ,2022-06-03

[6]

N面GaN HEMT器件及其制作方法 [P].

张丽 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN112420827A ,2021-02-26

[7]

一种GaN HEMT器件的制作方法 [P].

林书勋 .

中国专利 :CN107240549B ,2017-10-10

[8]

GaN基的p-GaN增强型HEMT器件及其制作方法 [P].

赵杰 ;

付凯 ;

宋亮 ;

郝荣晖 ;

陈扶 ;

于国浩 ;

蔡勇 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN109888008A ,2019-06-14

[9]

一种GaN基HEMT器件结构及其制作方法 [P].

彭昊炆 .

中国专利 :CN119767725A ,2025-04-04

[10]

垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法 [P].

孙世闯 ;

张宝顺 ;

范亚明 ;

付凯 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张志利 ;

宋亮 .

中国专利 :CN104701359A ,2015-06-10

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