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GaN HEMT器件的制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311831540.X
申请日：
2023-12-27
公开(公告)号：
CN120239291A
公开(公告)日：
2025-07-01
发明(设计)人：
肖霞
申请人：
华润微电子（重庆）有限公司
申请人地址：
401331 重庆市沙坪坝区西永大道25号
IPC主分类号：
H10D30/01
IPC分类号：
H10D30/47
代理机构：
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人：
余明伟
法律状态：
公开
国省代码：
重庆市
市辖区
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-07-01 | 公开 | 公开 |
| 2025-07-18 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20231227 |