一种GaN HEMT器件制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610158915.4

申请日：

2016-03-18

公开(公告)号：

CN105590851A

公开(公告)日：

2016-05-18

发明(设计)人：

陈一峰

申请人：

申请人地址：

610029 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

H01L29778 H01L2920 H01L2906

代理机构：

成都华风专利事务所(普通合伙) 51223

代理人：

胡川

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-18	公开	公开
2016-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101665084729 IPC(主分类):H01L 21/335 专利申请号:2016101589154 申请日:20160318
2020-05-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/335 申请公布日:20160518

共 50 条

[1]

一种GaN HEMT器件制作方法 [P].

陈一峰 .

中国专利 :CN105655251A ,2016-06-08

[2]

GaN HEMT器件的制作方法 [P].

陈一峰 .

中国专利 :CN105742180A ,2016-07-06

[3]

GaN HEMT器件的制作方法 [P].

肖霞 .

中国专利 :CN120239291A ,2025-07-01

[4]

GaN HEMT器件及其制作方法 [P].

陈一峰 .

中国专利 :CN105226093B ,2016-01-06

[5]

一种GaN HEMT器件及其制作方法 [P].

张雪 .

中国专利 :CN118016710B ,2024-07-02

[6]

一种GaN HEMT器件的制作方法 [P].

林书勋 .

中国专利 :CN107240549B ,2017-10-10

[7]

一种GaN HEMT器件及其制作方法 [P].

张雪 .

中国专利 :CN118016710A ,2024-05-10

[8]

GaN基HEMT器件及其制作方法 [P].

谭庶欣 .

中国专利 :CN111223777A ,2020-06-02

[9]

一种GaN基HEMT器件及其制作方法 [P].

张正海 ;

张宗民 .

中国专利 :CN103489911A ,2014-01-01

[10]

一种GaN基HEMT器件的制作方法 [P].

梁世博 .

中国专利 :CN108335982A ,2018-07-27

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