槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510748113.4

申请日：

2015-11-06

公开(公告)号：

CN105355659A

公开(公告)日：

2016-02-24

发明(设计)人：

柴常春杨琦陈鹏远杨银堂刘阳樊庆扬于新海史春蕾孙斌

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号西安电子科技大学

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2910 H01L2940 H01L21336

代理机构：

北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316

代理人：

高利利

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-24	公开	公开
2016-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101651544213 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015107481134 申请日:20151106
2019-09-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20160224

共 50 条

[1]

复合阶梯场板槽栅AlGaN/GaN HEMT高压器件结构及其制作方法 [P].

柴常春 ;

陈鹏远 ;

杨琦 ;

杨银堂 ;

刘阳 ;

樊庆扬 ;

于新海 ;

史春蕾 ;

孙斌 .

中国专利 :CN105448964A ,2016-03-30

[2]

基于耗尽型槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

代波 ;

张春福 ;

梁日泉 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103779408B ,2014-05-07

[3]

带源场板槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

梁日泉 ;

代波 ;

张进城 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103779398A ,2014-05-07

[4]

复合阶梯场板槽栅HEMT高压器件及其制作方法 [P].

刘阳 ;

柴常春 ;

樊庆扬 ;

史春蕾 ;

于新海 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN105448975A ,2016-03-30

[5]

加栅场板耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

代波 ;

张春福 ;

梁日泉 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103904113B ,2014-07-02

[6]

一种AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

陈丽香 ;

孙佳惟 ;

阙妙玲 ;

孙云飞 .

中国专利 :CN117894833A ,2024-04-16

[7]

基于耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

梁日泉 ;

张春福 ;

代波 ;

张进城 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103779409B ,2014-05-07

[8]

垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法 [P].

孙世闯 ;

张宝顺 ;

范亚明 ;

付凯 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张志利 ;

宋亮 .

中国专利 :CN104659082B ,2015-05-27

[9]

垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法 [P].

孙世闯 ;

张宝顺 ;

范亚明 ;

付凯 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张志利 ;

宋亮 .

中国专利 :CN104701359A ,2015-06-10

[10]

凹栅槽的AlGaN/GaN HEMT多层场板器件及其制作方法 [P].

刘果果 ;

刘新宇 ;

郑英奎 .

中国专利 :CN101276837A ,2008-10-01

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