加栅场板耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410025458.2

申请日：

2014-01-20

公开(公告)号：

CN103904113B

公开(公告)日：

2014-07-02

发明(设计)人：

冯倩杜锴代波张春福梁日泉郝跃

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2940 H01L2906 H01L21335

代理机构：

北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385

代理人：

董芙蓉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584084667 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2014100254582 申请日:20140120
2014-07-02	公开	公开
2017-05-17	授权	授权
2022-12-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20140120 授权公告日:20170517 终止日期:20220120

共 50 条

[1]

加源场板耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

马晓华 ;

郑雪峰 ;

代波 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103779406B ,2014-05-07

[2]

基于耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

梁日泉 ;

张春福 ;

代波 ;

张进城 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103779409B ,2014-05-07

[3]

耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

梁日泉 ;

代波 ;

张进城 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103904112B ,2014-07-02

[4]

加源场板耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

马晓华 ;

郑雪峰 ;

代波 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103779407A ,2014-05-07

[5]

加栅场板耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

代波 ;

张春福 ;

梁日泉 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103904110A ,2014-07-02

[6]

加栅场板增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

代波 ;

张春福 ;

梁日泉 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103996707A ,2014-08-20

[7]

基于耗尽型槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

代波 ;

张春福 ;

梁日泉 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103779408B ,2014-05-07

[8]

加源场板增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

马晓华 ;

郑雪峰 ;

代波 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103904114A ,2014-07-02

[9]

带源场板槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

梁日泉 ;

代波 ;

张进城 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103779398A ,2014-05-07

[10]

复合阶梯场板槽栅AlGaN/GaN HEMT高压器件结构及其制作方法 [P].

柴常春 ;

陈鹏远 ;

杨琦 ;

杨银堂 ;

刘阳 ;

樊庆扬 ;

于新海 ;

史春蕾 ;

孙斌 .

中国专利 :CN105448964A ,2016-03-30

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