加源场板耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410025516.1

申请日：

2014-01-20

公开(公告)号：

CN103779406B

公开(公告)日：

2014-05-07

发明(设计)人：

冯倩杜锴马晓华郑雪峰代波郝跃

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2940 H01L21335

代理机构：

北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385

代理人：

董芙蓉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-07	公开	公开
2014-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582696595 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2014100255161 申请日:20140120
2017-08-04	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101756674351 IPC(主分类):H01L 29/778 专利号:ZL2014100255161 登记生效日:20170718 变更事项:专利权人变更前权利人:西安电子科技大学变更后权利人:云南凝慧电子科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:710071 陕西省西安市太白南路2号变更后权利人:650221 云南省昆明市大板桥街道办事处7号办公楼7-114室
2016-05-04	授权	授权

共 50 条

[1]

耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

梁日泉 ;

代波 ;

张进城 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103904112B ,2014-07-02

[2]

加栅场板耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

代波 ;

张春福 ;

梁日泉 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103904113B ,2014-07-02

[3]

加栅场板耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

代波 ;

张春福 ;

梁日泉 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103904110A ,2014-07-02

[4]

基于耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

梁日泉 ;

张春福 ;

代波 ;

张进城 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103779409B ,2014-05-07

[5]

加源场板耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

马晓华 ;

郑雪峰 ;

代波 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103779407A ,2014-05-07

[6]

加栅场板增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

代波 ;

张春福 ;

梁日泉 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103996707A ,2014-08-20

[7]

加源场板增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

马晓华 ;

郑雪峰 ;

代波 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103904114A ,2014-07-02

[8]

基于耗尽型槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

代波 ;

张春福 ;

梁日泉 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103779408B ,2014-05-07

[9]

带源场板槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

梁日泉 ;

代波 ;

张进城 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103779398A ,2014-05-07

[10]

耗尽型AlGaN/GaN MISHEMT高压器件及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

杜鸣 ;

张春福 ;

梁日泉 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103745990B ,2014-04-23

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