复合阶梯场板槽栅AlGaN/GaN HEMT高压器件结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510814056.5

申请日：

2015-11-23

公开(公告)号：

CN105448964A

公开(公告)日：

2016-03-30

发明(设计)人：

柴常春陈鹏远杨琦杨银堂刘阳樊庆扬于新海史春蕾孙斌

申请人：

申请人地址：

710065 陕西省西安市雁塔区太白南路2号西安电子科技大学

IPC主分类号：

H01L2940

IPC分类号：

H01L29423 H01L21335 H01L29778

代理机构：

北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316

代理人：

高利利

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-22	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/40 申请公布日:20160330
2016-03-30	公开	公开
2016-04-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101657713467 IPC(主分类):H01L 29/40 专利申请号:2015108140565 申请日:20151123

共 50 条

[1]

复合阶梯场板槽栅HEMT高压器件及其制作方法 [P].

刘阳 ;

柴常春 ;

樊庆扬 ;

史春蕾 ;

于新海 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN105448975A ,2016-03-30

[2]

槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及制作方法 [P].

柴常春 ;

杨琦 ;

陈鹏远 ;

杨银堂 ;

刘阳 ;

樊庆扬 ;

于新海 ;

史春蕾 ;

孙斌 .

中国专利 :CN105355659A ,2016-02-24

[3]

带源场板槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

梁日泉 ;

代波 ;

张进城 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103779398A ,2014-05-07

[4]

加栅场板耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

代波 ;

张春福 ;

梁日泉 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103904113B ,2014-07-02

[5]

凹栅槽的AlGaN/GaN HEMT多层场板器件及其制作方法 [P].

刘果果 ;

刘新宇 ;

郑英奎 .

中国专利 :CN101276837A ,2008-10-01

[6]

基于耗尽型槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

代波 ;

张春福 ;

梁日泉 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103779408B ,2014-05-07

[7]

加栅场板增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

代波 ;

张春福 ;

梁日泉 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103996707A ,2014-08-20

[8]

基于超结漏场板的AlGaN/GaN MISHEMT高压器件及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

代波 ;

张春福 ;

梁日泉 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103762234A ,2014-04-30

[9]

耗尽型AlGaN/GaN MISHEMT高压器件及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

杜鸣 ;

张春福 ;

梁日泉 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103745990B ,2014-04-23

[10]

基于超结漏场板的AlGaN/GaN高压器件及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

杜鸣 ;

张春福 ;

梁日泉 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103762235B ,2014-04-30

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