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一种GaN HEMT器件模型的建模方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410269625.1
申请日：
2024-03-11
公开(公告)号：
CN117993217A
公开(公告)日：
2024-05-07
发明(设计)人：
刘贵鹏 周子维 赵桂娟
申请人：
兰州大学
申请人地址：
730000 甘肃省兰州市天水南路222号
IPC主分类号：
G06F30/20
IPC分类号：
G06F111/10
代理机构：
北京凯谦巨邦专利代理事务所(普通合伙) 32303
代理人：
李厅
法律状态：
公开
国省代码：
甘肃省 兰州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-05-07 公开 公开
2024-11-05 授权 授权
2024-05-24 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G06F 30/20申请日:20240311
共 50 条
[1]
一种GaN HEMT器件模型的建模方法 [P]. 
刘贵鹏 ;
周子维 ;
赵桂娟 .
中国专利 :CN117993217B ,2024-11-05
[2]
一种GaN-HEMT器件大信号模型的建模方法 [P]. 
程奎 ;
罗卫军 ;
张荣华 ;
韦春 ;
夏志颖 ;
闫伟 ;
来龙坤 ;
蒋鑫 ;
陈晓娟 .
中国专利 :CN112906226A ,2021-06-04
[3]
一种GaN-HEMT器件大信号模型的建模方法 [P]. 
程奎 ;
罗卫军 ;
张荣华 ;
韦春 ;
夏志颖 ;
闫伟 ;
来龙坤 ;
蒋鑫 ;
陈晓娟 .
中国专利 :CN112906226B ,2025-05-09
[4]
一种GaN HEMT器件的制备方法及GaN HEMT器件 [P]. 
张晓宇 ;
岳丹诚 ;
李星齐 .
中国专利 :CN119403171A ,2025-02-07
[5]
一种GaN HEMT器件的制备方法及GaN HEMT器件 [P]. 
张晓宇 ;
岳丹诚 ;
李星齐 .
中国专利 :CN119403171B ,2025-07-22
[6]
一种GaN HEMT器件 [P]. 
倪炜江 .
中国专利 :CN214898452U ,2021-11-26
[7]
GaN HEMT器件制备方法及GaN HEMT器件 [P]. 
李亦衡 ;
朱廷刚 ;
武乐可 ;
王强 ;
黄克强 ;
秦佳明 ;
魏鸿源 ;
夏远洋 .
中国专利 :CN116631960B ,2024-04-05
[8]
一种提取GaN HEMT器件热源模型的方法 [P]. 
李姚 ;
郑子轩 ;
蒲红斌 .
中国专利 :CN113505504A ,2021-10-15
[9]
一种基于漏电匹配的GaN HEMT器件栅极模型的建立方法 [P]. 
孙伟锋 ;
彭淞伟 ;
颜浩 ;
马岩锋 ;
李胜 ;
刘斯扬 .
中国专利 :CN121072442A ,2025-12-05
[10]
一种GaN HEMT器件的栅极制备方法、栅极以及GaN HEMT器件 [P]. 
马磊 ;
董鹏 ;
刘浩 ;
边旭明 ;
曹佳 ;
孟飞 .
中国专利 :CN118412273A ,2024-07-30
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