一种改善欧姆接触电阻的N面GaN基p沟道器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210013552.0

申请日：

2022-01-06

公开(公告)号：

CN114530496B

公开(公告)日：

2025-06-06

发明(设计)人：

马晓华王博麟张濛牛雪锐杨凌侯斌武玫宓珉瀚郝跃

申请人：

西安电子科技大学

申请人地址：

710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H10D64/62

IPC分类号：

H10D30/47 H10D30/01

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

王萌

法律状态：

授权

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-06	授权	授权

共 50 条

[1]

一种改善欧姆接触电阻的N面GaN基p沟道器件及其制备方法 [P].

马晓华 ;

王博麟 ;

张濛 ;

牛雪锐 ;

杨凌 ;

侯斌 ;

武玫 ;

宓珉瀚 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114530496A ,2022-05-24

[2]

一种具有高电流密度的N面GaN基P沟道器件及其制备方法 [P].

马晓华 ;

侯斌 ;

牛雪锐 ;

杨凌 ;

张濛 ;

武玫 ;

王冲 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114530498B ,2025-09-19

[3]

一种具有高电流密度的N面GaN基P沟道器件及其制备方法 [P].

马晓华 ;

侯斌 ;

牛雪锐 ;

杨凌 ;

张濛 ;

武玫 ;

王冲 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114530498A ,2022-05-24

[4]

低接触电阻型GaN基器件及其制作方法 [P].

杨凌 ;

康慨 ;

周小伟 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN106449737B ,2017-02-22

[5]

一种降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法 [P].

周建军 ;

孔岑 ;

郁鑫鑫 .

中国专利 :CN105118780B ,2015-12-02

[6]

一种改善欧姆接触电阻的方法 [P].

张明利 ;

闫稳玉 ;

赵利 .

中国专利 :CN106783569A ,2017-05-31

[7]

一种低接触电阻的GaN基器件及其制备方法 [P].

吴畅 ;

邢绍琨 ;

刘捷龙 ;

王凯 ;

李程程 .

中国专利 :CN118039687A ,2024-05-14

[8]

降低欧姆接触电阻的方法及其应用 [P].

吴增远 ;

肖阳 ;

荆晴晴 ;

彭宇杰 ;

蔡勇 .

中国专利 :CN119764165A ,2025-04-04

[9]

一种自对准低欧姆接触电阻GaN HEMT器件 [P].

朱广润 ;

张凯 ;

周建军 ;

陈堂胜 .

中国专利 :CN213782023U ,2021-07-23

[10]

降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法 [P].

吕元杰 ;

冯志红 ;

顾国栋 ;

郭红雨 ;

尹甲运 ;

敦少博 .

中国专利 :CN103903982A ,2014-07-02

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