一种改善欧姆接触电阻的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611228543.4

申请日：

2016-12-27

公开(公告)号：

CN106783569A

公开(公告)日：

2017-05-31

发明(设计)人：

张明利闫稳玉赵利

申请人：

申请人地址：

257091 山东省东营市东营区东四路1号光电大楼

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21335

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/28 申请公布日:20170531
2017-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101729331084 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2016112285434 申请日:20161227
2017-05-31	公开	公开

共 50 条

[1]

降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法 [P].

吕元杰 ;

冯志红 ;

顾国栋 ;

郭红雨 ;

尹甲运 ;

敦少博 .

中国专利 :CN103903982A ,2014-07-02

[2]

降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法 [P].

吕元杰 ;

冯志红 ;

王元刚 ;

徐鹏 ;

尹甲运 ;

敦少博 .

中国专利 :CN103928323A ,2014-07-16

[3]

降低欧姆接触电阻的方法及其应用 [P].

吴增远 ;

肖阳 ;

荆晴晴 ;

彭宇杰 ;

蔡勇 .

中国专利 :CN119764165A ,2025-04-04

[4]

一种提升欧姆接触电阻良率的刻蚀方法 [P].

乔程 ;

黄斌 ;

张瑞朋 ;

丁景兵 .

中国专利 :CN119786345A ,2025-04-08

[5]

一种提升欧姆接触电阻良率的刻蚀方法 [P].

乔程 ;

黄斌 ;

张瑞朋 ;

丁景兵 .

中国专利 :CN119786345B ,2025-06-06

[6]

改善接触孔接触电阻的方法 [P].

张瑜 ;

许志强 .

中国专利 :CN121237731A ,2025-12-30

[7]

一种降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法 [P].

周建军 ;

孔岑 ;

郁鑫鑫 .

中国专利 :CN105118780B ,2015-12-02

[8]

一种半导体电极欧姆接触电阻参数提取方法 [P].

黄火林 ;

孙仲豪 ;

曹亚庆 ;

李飞雨 ;

胡礼中 .

中国专利 :CN108170910A ,2018-06-15

[9]

具有低欧姆接触电阻的氮化镓器件 [P].

K·塔巴塔比 ;

W·E·霍克 ;

E·M·詹贝斯 ;

K·麦卡锡 .

中国专利 :CN104471713A ,2015-03-25

[10]

一种改善欧姆接触电阻的N面GaN基p沟道器件及其制备方法 [P].

马晓华 ;

王博麟 ;

张濛 ;

牛雪锐 ;

杨凌 ;

侯斌 ;

武玫 ;

宓珉瀚 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114530496B ,2025-06-06

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