降低欧姆接触电阻的方法及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411792733.3

申请日：

2024-12-07

公开(公告)号：

CN119764165A

公开(公告)日：

2025-04-04

发明(设计)人：

吴增远肖阳荆晴晴彭宇杰蔡勇

申请人：

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号

IPC主分类号：

H01L21/28

IPC分类号：

H10D64/62 H10D30/47

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

李志

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/28申请日:20241207
2025-04-04	公开	公开

共 50 条

[1]

降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法 [P].

吕元杰 ;

冯志红 ;

顾国栋 ;

郭红雨 ;

尹甲运 ;

敦少博 .

中国专利 :CN103903982A ,2014-07-02

[2]

降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法 [P].

吕元杰 ;

冯志红 ;

王元刚 ;

徐鹏 ;

尹甲运 ;

敦少博 .

中国专利 :CN103928323A ,2014-07-16

[3]

HEMT器件及降低HEMT器件的欧姆接触电阻的方法 [P].

孙英斐 ;

张宇翔 ;

于国浩 ;

赵德胜 ;

曾中明 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN118263124A ,2024-06-28

[4]

降低器件欧姆接触电阻的方法、器件封装结构及封装方法 [P].

郝欣禹 ;

段伸震 ;

易觉民 ;

张育民 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN119677218A ,2025-03-21

[5]

具有低欧姆接触电阻的氮化镓器件 [P].

K·塔巴塔比 ;

W·E·霍克 ;

E·M·詹贝斯 ;

K·麦卡锡 .

中国专利 :CN104471713A ,2015-03-25

[6]

一种降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法 [P].

周建军 ;

孔岑 ;

郁鑫鑫 .

中国专利 :CN105118780B ,2015-12-02

[7]

一种降低宽禁带半导体器件欧姆接触电阻的方法 [P].

孙瑞泽 ;

梁永齐 ;

赵策洲 ;

蔡宇韬 .

中国专利 :CN109216171A ,2019-01-15

[8]

一种改善欧姆接触电阻的方法 [P].

张明利 ;

闫稳玉 ;

赵利 .

中国专利 :CN106783569A ,2017-05-31

[9]

降低GaN极化掺杂场效应晶体管欧姆接触电阻的方法 [P].

房玉龙 ;

尹甲运 ;

冯志红 ;

张志荣 ;

刘波 ;

敦少博 ;

吕元杰 ;

蔡树军 .

中国专利 :CN104992967A ,2015-10-21

[10]

一种降低氢终端金刚石欧姆接触电阻的方法 [P].

李成明 ;

原晓芦 ;

郑宇亭 ;

黄亚博 ;

刘金龙 ;

魏俊俊 ;

陈良贤 .

中国专利 :CN110323132A ,2019-10-11

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