GaN基器件的单片集成结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410138776.3

申请日：

2024-02-01

公开(公告)号：

CN117690925B

公开(公告)日：

2024-05-14

发明(设计)人：

张兵莫炯炯郁发新

申请人：

浙江大学

申请人地址：

310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

H01L27/06

IPC分类号：

H01L29/778 H01L21/8252

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/06申请日:20240201
2024-03-12	公开	公开
2024-05-14	授权	授权

共 50 条

[1]

GaN基器件的单片集成结构及其制备方法 [P].

张兵 ;

莫炯炯 ;

郁发新 .

中国专利 :CN117690925A ,2024-03-12

[2]

单片集成的垂直GaN Cascode器件结构及其制备方法 [P].

游淑珍 ;

王屹 ;

周挺 ;

雷毅龙 ;

王亮 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN120711824A ,2025-09-26

[3]

一种蓝宝石基的单片集成GaN器件及其制备方法 [P].

刘斯扬 ;

张子康 ;

李胜 ;

李明飞 ;

孙伟锋 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN118352364A ,2024-07-16

[4]

一种单片集成GaN基高压功率器件及其制备方法 [P].

卢双赞 ;

潘嘉杰 ;

李思超 ;

向诗力 ;

尹雪兵 ;

高金锋 ;

贾汉祥 ;

程涛 ;

柳俊 .

中国专利 :CN121218676A ,2025-12-26

[5]

GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

郑礼锭 ;

秦芳婷 ;

黄捷 ;

左亚丽 ;

马飞 .

中国专利 :CN113035934B ,2021-06-25

[6]

一种GaN单片集成器件及其制备方法 [P].

何俊蕾 ;

李思超 ;

刘逸夫 ;

沈晓安 .

中国专利 :CN119153464A ,2024-12-17

[7]

GaN基HEMT器件、器件外延结构及其制备方法 [P].

马旺 ;

陈龙 ;

程静云 ;

陈祖尧 ;

王洪朝 ;

袁理 .

中国专利 :CN113793868A ,2021-12-14

[8]

集成型GaN器件及其制备方法 [P].

马飞 ;

邹鹏辉 ;

郑礼锭 ;

蔡泉福 .

中国专利 :CN111710651B ,2020-09-25

[9]

GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

王文博 ;

程永健 ;

李家辉 ;

邹鹏辉 ;

李哲 .

中国专利 :CN113793805B ,2021-12-14

[10]

GaN基功率器件及其制备方法 [P].

张卫 ;

卢红亮 ;

黄伟 ;

蒋西西 .

中国专利 :CN109560134A ,2019-04-02

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