一种GaN单片集成器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411214189.4

申请日：

2024-08-31

公开(公告)号：

CN119153464A

公开(公告)日：

2024-12-17

发明(设计)人：

何俊蕾李思超刘逸夫沈晓安

申请人：

湖北九峰山实验室

申请人地址：

430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区九龙湖街9号

IPC主分类号：

H01L27/07

IPC分类号：

H01L21/8234

代理机构：

武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙) 42242

代理人：

胡正义

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/07申请日:20240831
2024-12-17	公开	公开

共 50 条

[1]

单片集成器件及其制备方法 [P].

刘志强 ;

付松 ;

康俊杰 ;

梁萌 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN120357265A ,2025-07-22

[2]

一种基于体GaN材料的单片集成器件及其制备方法 [P].

陈琳 ;

郑亮 ;

戴亚伟 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN106549031A ,2017-03-29

[3]

单片集成器件及其制备方法 [P].

刘志强 ;

付松 ;

康俊杰 ;

梁萌 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN120453849A ,2025-08-08

[4]

GaN HEMT集成器件及其制备方法 [P].

许明伟 ;

李海滨 ;

樊晓兵 .

中国专利 :CN112768409A ,2021-05-07

[5]

一种单片集成器件的制作方法及单片集成器件 [P].

韩宇 .

中国专利 :CN105914582B ,2016-08-31

[6]

HEMT与MIS LED单片集成器件及其制备方法 [P].

谢敏 ;

何吉海 ;

胡茜 ;

祝杰杰 ;

马晓华 .

中国专利 :CN120500181A ,2025-08-15

[7]

一种驱动电路单片集成器件及其制备方法 [P].

周玉刚 ;

王国锴 ;

李良杰 ;

刘泽翔 ;

郭焱 ;

张荣 .

中国专利 :CN121078797A ,2025-12-05

[8]

耗尽型与增强型GaN单片集成器件 [P].

康剑 ;

任炜强 .

中国专利 :CN222928735U ,2025-05-30

[9]

一种GaN基集成器件及其制备方法 [P].

陈琳 ;

戴亚伟 ;

郑亮 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN106252373A ,2016-12-21

[10]

基于GaN基功率与射频电子的单片集成器件及其制备方法 [P].

李国强 .

中国专利 :CN113990946A ,2022-01-28

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